Статьи по ключевому слову "полупроводники"

Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 43
  • 3269
  • Страницы: 6-10

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 45
  • 2784
  • Страницы: 62-67

Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 33
  • 3010
  • Страницы: 31-36

Характеризация анизотропии оптических свойств черного фосфора методами ИК фурье-спектроскопии

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 23
  • 3824
  • Страницы: 228-232

Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 15
  • 3550
  • Страницы: 130-136

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 3436
  • Страницы: 289-293

Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 3888
  • Страницы: 221-226

Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 30
  • 3742
  • Страницы: 47-52

Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 45
  • 4406
  • Страницы: 114-120

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 4448
  • Страницы: 341-345

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 4115
  • Страницы: 153-157

Экспериментальное исследование Ван-дер-Ваальсовых волноводных поляритонов при комнатной температуре

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 14
  • 4568
  • Страницы: 223-225

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 28
  • 4834
  • Страницы: 145-149

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 29
  • 4704
  • Страницы: 75-79

Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 8936
  • Страницы: 7-11

Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 8466
  • Страницы: 58-62

Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 8749
  • Страницы: 34-38

Композитные тонкие пленки C60CDS для фотоэлектроники

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 8604
  • Страницы: 23-29

Определение электрокинетических свойств полупроводниковых материалов для создания нанокомпозитных катодов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 8352
  • Страницы: 39-43

Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 559
  • 9152
  • Страницы: 24-28