Статьи по ключевому слову "полупроводники"
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 5
- 360
- Страницы: 62-67
Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 11
- 369
- Страницы: 31-36
Характеризация анизотропии оптических свойств черного фосфора методами ИК фурье-спектроскопии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 10
- 960
- Страницы: 228-232
Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 6
- 812
- Страницы: 130-136
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 8
- 922
- Страницы: 289-293
Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 6
- 975
- Страницы: 221-226
Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 19
- 1002
- Страницы: 47-52
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 31
- 1627
- Страницы: 114-120
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 18
- 1674
- Страницы: 341-345
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 16
- 1520
- Страницы: 153-157
Экспериментальное исследование Ван-дер-Ваальсовых волноводных поляритонов при комнатной температуре
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 11
- 1953
- Страницы: 223-225
Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 18
- 2016
- Страницы: 145-149
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 25
- 2049
- Страницы: 75-79
Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца
- Год: 2010
- Выпуск: 4
- 0
- 6411
- Страницы: 7-11
Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах
- Год: 2010
- Выпуск: 3
- 0
- 5999
- Страницы: 58-62
Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]
- Год: 2009
- Выпуск: 2
- 0
- 6292
- Страницы: 34-38
Определение электрокинетических свойств полупроводниковых материалов для создания нанокомпозитных катодов
- Год: 2011
- Выпуск: 4
- 0
- 5885
- Страницы: 39-43
Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира
- Год: 2013
- Выпуск: 1
- 559
- 6713
- Страницы: 24-28