Статьи из рубрики "Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы"

Анализ зарядового транспорта в туннельном переходе на основе магнитного изолятора CrCl3

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 576
  • Страницы: 72-76

Влияние подсветки на положительное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в гетероструктуре GaAs/AlAs

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 8
  • 569
  • Страницы: 67-71

Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 11
  • 574
  • Страницы: 58-66

Влияние магнитного поля на интерфейсные состояния в структурах с квантовыми ямами ZnSe/BeTe без общего атома

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 547
  • Страницы: 52-57

Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 10
  • 560
  • Страницы: 46-51

Эффект Гуржи в точечных контактах в арсениде галлия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 35
  • 2272
  • Страницы: 89-94

Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 33
  • 2178
  • Страницы: 83-88

Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 2027
  • Страницы: 77-82

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 25
  • 2456
  • Страницы: 68-76

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 36
  • 2018
  • Страницы: 62-67

Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 38
  • 2052
  • Страницы: 55-61

Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 13
  • 3008
  • Страницы: 90-95

Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 18
  • 3046
  • Страницы: 85-89

Моделирование когерентной динамики экситонов в квантовой яме GaAs, наблюдаемой в эксперименте «накачка-зондирование»

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 20
  • 3066
  • Страницы: 79-84

Исследование инфракрасного фотоотклика от структуры с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 21
  • 3037
  • Страницы: 73-78

Магнето-межподзонные осцилляции сопротивления в одномерной латеральной сверхрешетке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 25
  • 3038
  • Страницы: 67-72

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: