Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
- 2024, Том 17 Выпуск 4 Полный текст
- 2024, Том 17 Выпуск 3.2 Полный текст
Статьи из рубрики "Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы"
Анализ зарядового транспорта в туннельном переходе на основе магнитного изолятора CrCl3
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 4
- 237
- Страницы: 72-76
Влияние подсветки на положительное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в гетероструктуре GaAs/AlAs
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 7
- 243
- Страницы: 67-71
Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 8
- 245
- Страницы: 58-66
Влияние магнитного поля на интерфейсные состояния в структурах с квантовыми ямами ZnSe/BeTe без общего атома
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 4
- 218
- Страницы: 52-57
Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 3
- 236
- Страницы: 46-51
Эффект Гуржи в точечных контактах в арсениде галлия
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 31
- 2008
- Страницы: 89-94
Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 32
- 1928
- Страницы: 83-88
Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 1779
- Страницы: 77-82
Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 25
- 2172
- Страницы: 68-76
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 33
- 1784
- Страницы: 62-67
Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 34
- 1804
- Страницы: 55-61
Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 11
- 2794
- Страницы: 90-95
Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 17
- 2796
- Страницы: 85-89
Моделирование когерентной динамики экситонов в квантовой яме GaAs, наблюдаемой в эксперименте «накачка-зондирование»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 19
- 2852
- Страницы: 79-84
Исследование инфракрасного фотоотклика от структуры с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 20
- 2822
- Страницы: 73-78
Магнето-межподзонные осцилляции сопротивления в одномерной латеральной сверхрешетке
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 23
- 2803
- Страницы: 67-72