Статьи по ключевому слову "нитрид галлия"

Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1
  • 10
  • 170
  • Страницы: 9-18

Две полосы в спектре фотолюминесценции от сверхрешетки InGaN/GaN, заключенной в нитевидный нанокристал GaN

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4.1
  • 3
  • 381
  • Страницы: 44-48

Измерение толщины барьерного слоя в гетероструктурах AlGaN/GaN методом спектроскопии оптического отражения: сравнение с рентгеновской рефлектометрией

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 496
  • Страницы: 143-147

Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4
  • 17
  • 598
  • Страницы: 9-20

Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 3785
  • Страницы: 100-104

Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 8
  • 3677
  • Страницы: 83-87

Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 3743
  • Страницы: 77-82

Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 17
  • 3904
  • Страницы: 58-66

Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 15
  • 2477
  • Страницы: 152-156

Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 27
  • 3517
  • Страницы: 46-56

Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 66
  • 4160
  • Страницы: 12-19

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 30
  • 5487
  • Страницы: 145-149

Полуполярные слои GaN на наноструктурированном кремнии: технология и свойства

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 19
  • 5696
  • Страницы: 179-184

Механические напряжения в пленках нитрида галлия, выращенных на подложках с маской

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 3
  • 1
  • 9239
  • Страницы: 14-16

Режимы роста нитрида галлия при хлоридгидридной газофазной эпитаксии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 8815
  • Страницы: 10-13

Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 9075
  • Страницы: 25-30

Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 9605
  • Страницы: 55-61

Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 9263
  • Страницы: 49-55