НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "нитрид галлия"

    Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si

    Физика конденсированного состояния
    Шугуров К. Ю. Можаров А.М.Кавеев А.К.Федоров В.В.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1
    • 24
    • 1024
    • Страницы: 9-18

    Две полосы в спектре фотолюминесценции от сверхрешетки InGaN/GaN, заключенной в нитевидный нанокристал GaN

    Физика конденсированного состояния
    Субботина Е.А.Субботина А.С.Серов А.Ю.Философов Н.Г.Гридчин В.О.Сибирев Н.В.Цырлин Г.Э.Штром И.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 8
    • 1212
    • Страницы: 44-48

    Измерение толщины барьерного слоя в гетероструктурах AlGaN/GaN методом спектроскопии оптического отражения: сравнение с рентгеновской рефлектометрией

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Филимонов А.В.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 1254
    • Страницы: 143-147

    Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Шугуров К. Ю. Можаров А.М.Кавеев А.К.Федоров В.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4
    • 23
    • 1409
    • Страницы: 9-20

    Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Шубина К.Ю.Синицкая О.А.Эннс Я.Б.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 17
    • 4562
    • Страницы: 100-104

    Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Шаров В.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 11
    • 4386
    • Страницы: 83-87

    Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Козко И.А.Карасёва Е.П.Свинкин Н.А.Ридер М.А.Вячеславова Е.А.Гридчин В.О.Федоров В.В.Кондратьев В.М.Большаков А.Д.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 15
    • 4462
    • Страницы: 77-82

    Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Мелентьев Г.А.Винниченко М.Я.Караулов Д.А.Фирсов Д.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 24
    • 4682
    • Страницы: 58-66

    Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки

    Физика молекул, кластеров и наноструктур
    Максимова А.А.Уваров А.В.Вячеславова Е.А.Баранов А.И.Ярчук Э.Я.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 20
    • 3208
    • Страницы: 152-156

    Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии

    Математическое моделирование физических процессов
    Барыкин Д. А.Шугуров К. Ю. Можаров А.М.Мухин И.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3
    • 28
    • 4274
    • Страницы: 46-56

    Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

    Объемные свойства полупроводников
    Мелентьев Г.А.Караулов Д.А.Костромин Н.А.Винниченко М.Я.Фирсов Д.А.Шалыгин В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 68
    • 4941
    • Страницы: 12-19

    Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

    Физическая электроника
    Казакин А.Н.Эннс Я.Б.Уваров А.В.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 32
    • 6201
    • Страницы: 145-149

    Полуполярные слои GaN на наноструктурированном кремнии: технология и свойства

    Физическое материаловедение
    Бессолов В.Н.Коненкова Е.В.Родин С.Н.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 19
    • 6422
    • Страницы: 179-184

    Механические напряжения в пленках нитрида галлия, выращенных на подложках с маской

    Физика конденсированного состояния
    Вороненков В.В.Цюк А.И.Зубрилов А.С.Леликов Ю.С.Шретер Ю.Г.
    • Год: 2011
    • Выпуск: 3
    • 2
    • 9882
    • Страницы: 14-16

    Режимы роста нитрида галлия при хлоридгидридной газофазной эпитаксии

    Физика конденсированного состояния
    Цюк А.И.Вороненков В.В.Горбунов Р.И.Латышев Ф.Е.Бочкарева Н.И.
    • Год: 2011
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9443
    • Страницы: 10-13

    Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN

    Физика конденсированного состояния
    Мелентьев Г.А.Шалыгин В.А.Винниченко М.Я.Софронов А.Н.Воробьев Л.Е.Фирсов Д.А.
    • Год: 2011
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9775
    • Страницы: 25-30

    Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами

    Физика конденсированного состояния
    Карабешкин К.В.Карасёв П.А.Беляков В.С.Архипов А.В.Титов А.И.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 10269
    • Страницы: 55-61

    Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

    Физика конденсированного состояния
    Карасёв П.А.Титов А.И.Улла М.В.Джурабекова Ф.Куронен А.Нордлунд К.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9930
    • Страницы: 49-55