Режимы роста нитрида галлия при хлоридгидридной газофазной эпитаксии

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Аннотация:

Работа посвящена изучению влияния условий роста на морфологию пленок нитрида галлия, полученных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии. Было обнаружено два режима роста. Один из режимов приводил к образованию трещин в объеме пленки. Второй приводил к образованию дефектов на поверхности. Комбинация двух режимов позволила получить пленки без трещин и дефектов поверхности.