НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Максимова Алина Андреевна
Подать статью
Последние выпуски
Максимова Алина Андреевна
  • Место работы
    Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
  • Публикации

Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

Физическая электроника
Уваров А.В. Баранов А.И. Максимова А.А. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 14
  • 2740
  • Страницы: 150-154

Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

Физическая электроника
Максимова А.А. Уваров А.В. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 25
  • 3027
  • Страницы: 123-127

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Баранов А.И. Максимова А.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 29
  • 2647
  • Страницы: 281-284

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Резник Р.Р. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Максимова А.А. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 44
  • 2477
  • Страницы: 179-184

Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Кияницын С.Ю. Баранов А.И. Уваров А.В. Максимова А.А. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 7
  • 2012
  • Страницы: 90-95

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 7
  • 2064
  • Страницы: 176-181

Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT:PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

Физическая электроника
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Неплох В.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 38
  • 2220
  • Страницы: 10-17

Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

Физическая электроника
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 1640
  • Страницы: 434-438

Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT:PSS

Физическая электроника
Поздеев В.А. Уваров А.В. Гудовских А.С. Максимова А.А. Вячеславова Е.А.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 1959
  • Страницы: 468-472

Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

Физическая электроника
Вторыгин Г.Э. Баранов А.И. Уваров А.В. Максимова А.А. Вячеславова Е.А.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 1592
  • Страницы: 473-478

Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства

Физическое материаловедение
Максимова А.А. Уваров А.В. Поздеев В.А. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 24
  • 1679
  • Страницы: 273-277

Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения

Физика конденсированного состояния
Баранов А.И. Вторыгин Г.Э. Уваров А.В. Максимова А.А. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 6
  • 334
  • Страницы: 17-24

Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

Физическая электроника
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 105
  • Страницы: 199-203