Статьи по ключевому слову "нитрид галлия"

Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 70
  • Страницы: 100-104

Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 64
  • Страницы: 83-87

Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 81
  • Страницы: 77-82

Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 87
  • Страницы: 58-66

Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 5
  • 619
  • Страницы: 152-156

Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 25
  • 1100
  • Страницы: 46-56

Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 48
  • 1965
  • Страницы: 12-19

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 25
  • 3382
  • Страницы: 145-149

Полуполярные слои GaN на наноструктурированном кремнии: технология и свойства

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 3556
  • Страницы: 179-184

Механические напряжения в пленках нитрида галлия, выращенных на подложках с маской

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 3
  • 1
  • 7306
  • Страницы: 14-16

Режимы роста нитрида галлия при хлоридгидридной газофазной эпитаксии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 6915
  • Страницы: 10-13

Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7108
  • Страницы: 25-30

Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7513
  • Страницы: 55-61

Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7285
  • Страницы: 49-55

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: