Статьи по ключевому слову "нитрид галлия"
Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 0
- 70
- Страницы: 100-104
Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 0
- 64
- Страницы: 83-87
Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 0
- 81
- Страницы: 77-82
Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 0
- 87
- Страницы: 58-66
Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 5
- 619
- Страницы: 152-156
Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 25
- 1100
- Страницы: 46-56
Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 48
- 1965
- Страницы: 12-19
Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 25
- 3382
- Страницы: 145-149
Полуполярные слои GaN на наноструктурированном кремнии: технология и свойства
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 17
- 3556
- Страницы: 179-184
Механические напряжения в пленках нитрида галлия, выращенных на подложках с маской
- Год: 2011
- Выпуск: 3
- 1
- 7306
- Страницы: 14-16
Режимы роста нитрида галлия при хлоридгидридной газофазной эпитаксии
- Год: 2011
- Выпуск: 3
- 0
- 6915
- Страницы: 10-13
Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN
- Год: 2011
- Выпуск: 2
- 0
- 7108
- Страницы: 25-30
Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 0
- 7513
- Страницы: 55-61
Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 0
- 7285
- Страницы: 49-55