Статьи по ключевому слову "GaAs"
Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 3
- 74
- Страницы: 140-144
Влияние подсветки на положительное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в гетероструктуре GaAs/AlAs
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 1
- 101
- Страницы: 67-71
Эпитаксиальный рост AlGaAs из Bi-содержащих расплавов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 1
- 92
- Страницы: 17-21
Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 14
- 952
- Страницы: 233-237
Моделирование полностью оптического логического компаратора на основе фотонного кристалла GaAs, работающего на длине волны 1.3 мкм
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 6
- 884
- Страницы: 105-109
Влияние условий отжига на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками на поверхности GaAs(111)
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 7
- 918
- Страницы: 58-62
Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 9
- 1662
- Страницы: 155-159
Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 14
- 2429
- Страницы: 50-55
Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 9
- 2351
- Страницы: 193-197
Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 19
- 2308
- Страницы: 122-127
Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 13
- 2711
- Страницы: 96-100
Энерго-информационный гибридный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 22
- 3031
- Страницы: 47-51
Влияние компенсирующих слоев GaP на характеристики фотопреобразователей GaAs со встроенными массивами квантовых точек InGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 15
- 2786
- Страницы: 411-415
Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 28
- 3075
- Страницы: 22-27
Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 4
- 83
- 3772
- Страницы: 32-43
Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 17
- 3327
- Страницы: 315-319
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 14
- 3171
- Страницы: 48-53
Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 11
- 3425
- Страницы: 42-47
Нелинейный циркулярный дихроизм в димерах и тримерах диэлектрических наночастиц
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 21
- 3351
- Страницы: 321-325