Никитина  Екатерина  Викторовна
Никитина Екатерина Викторовна

Изготовление и исследование УФ — фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 30
  • 5309
  • Страницы: 145-149

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 35
  • 5194
  • Страницы: 157-162

Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 4077
  • Страницы: 133-137

Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 3909
  • Страницы: 439-443

Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 2760
  • Страницы: 220-223

Исследование слоев GaPN (As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 2534
  • Страницы: 275-278

Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 3625
  • Страницы: 46-51

Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 10
  • 3583
  • Страницы: 100-104

Оптические свойства дисковых микрорезонаторов на основе широкозонных III-N материалов

Физическая оптика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 291
  • Страницы: 209-213

Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 303
  • Страницы: 247-251

Влияние быстрого термического отжига на свойства структур GaPN (As), выращенных на кремниевых подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 2
  • 283
  • Страницы: 45-48

Высокочувствительные и малошумящие ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

Физическая оптика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 2
  • 236
  • Страницы: 196-199