Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Махов Иван Сергеевич
Место работы
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербургский филиал
Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении
- Год: 2013
- Выпуск: 4
- 429
- 9484
- Страницы: 109-114
Примесная терагерцовая люминесценция в наноструктурах с квантовыми ямами при межзонном фотовозбуждении
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 88
- 8978
- Страницы: 56-65
Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 116
- 9093
- Страницы: 66-76
Исследование оптической связи микролазеров с утоненным волокном
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 26
- 5530
- Страницы: 167-170
Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 5127
- Страницы: 260-264
Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 4
- 86
- 5607
- Страницы: 32-43
Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 32
- 4819
- Страницы: 22-27
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 48
- 4748
- Страницы: 114-120
Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 26
- 4302
- Страницы: 157-162
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 18
- 3853
- Страницы: 64-68
Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 3619
- Страницы: 68-76
Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 43
- 3657
- Страницы: 105-112
Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2573
- Страницы: 38-42
Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 18
- 2587
- Страницы: 79-83
Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si (111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 85
- Страницы: 19-22
Фотолюминесценция короткопериодных сверхрешеток InGaAs/InAlAs, выращенных на InP подложке
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 72
- Страницы: 95-98
Микродисковые лазеры с мостиковой контактной площадкой, сформированной методом мокрого химического травления
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 24
- Страницы: 24-28
Инжекционные торцевые микролазеры с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 27
- Страницы: 29-32