Федоров Владимир Викторович
Федоров Владимир Викторович
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Публикации

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 41
  • 4289
  • Страницы: 14-19

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs (P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 34
  • 4481
  • Страницы: 101-107

Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 15
  • 4034
  • Страницы: 130-136

Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 215
  • 4876
  • Страницы: 29-38

Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 59
  • 3361
  • Страницы: 113-118

Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 3143
  • Страницы: 125-130

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 3128
  • Страницы: 143-148

Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 25
  • 4500
  • Страницы: 38-46

Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 2719
  • Страницы: 34-37

Модовый анализ оптических микрорезонаторов GaP

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 29
  • 2852
  • Страницы: 115-119

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 45
  • 3946
  • Страницы: 120-133

Создание оптических изолированных микрорезонаторов GaP (NAs) на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 33
  • 3421
  • Страницы: 25-35

Формирование разбавленных нитридных нитевидных нанокристаллов InAs1-хNх по типу ядро-оболочка на кремнии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 4
  • 21
  • 3371
  • Страницы: 88-97

Исследование структурных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок титаната бария

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 18
  • 3687
  • Страницы: 40-45

Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 11
  • 3443
  • Страницы: 77-82

Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 40
  • 3788
  • Страницы: 9-21

Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4
  • 13
  • 286
  • Страницы: 9-20

Влияние кратковременного нагрева на морфологию микроструктур AlF3

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 182
  • Страницы: 283-286