Статьи по ключевому слову "отжиг"

Сверхтонкие пленки CoSi на подложке Si(111): сравнение стадий формирования в сверхвысоком вакууме и при отжиге в аргоне

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 5
  • 493
  • Страницы: 25-30

Низкотемпературная обработка нанослоев Al/Ti для формирования твердого раствора с целью улучшения процесса создания омических контактов

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 16
  • 696
  • Страницы: 271-277

Влияние условий отжига на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками на поверхности GaAs(111)

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 721
  • Страницы: 58-62

Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 1666
  • Страницы: 20-24

Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 46
  • 1963
  • Страницы: 9-20

Низкотемпературный метод удаления органических веществ из мезопористых частиц SiO2-ЦТАБ

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 1960
  • Страницы: 183-187

Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 2674
  • Страницы: 162-166

Модификация оптических и электрических свойств пленок NiO с примененим термического отжига

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 16
  • 3164
  • Страницы: 285-289

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 30
  • 3181
  • Страницы: 157-162

Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 18
  • 3100
  • Страницы: 59-63

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 21
  • 3088
  • Страницы: 54-58

Влияние термического отжига на размер зерен и фазовые превращения в магнетронных пленках диоксида титана

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 24
  • 3447
  • Страницы: 149-154

Термоупругие напряжения при лазерном отжиге диоксида титана на сапфировой подложке

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3
  • 29
  • 3698
  • Страницы: 100-110

Энергетический спектр и свойства сульфида свинца с имплантированным кислородом

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 406
  • 7310
  • Страницы: 9-20

Характеристики радиационных дефектов в аустенитных сплавах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2014
  • Выпуск: 2
  • 306
  • 7138
  • Страницы: 37-45

Влияние температуры на свойства DLC-пленок и на рост сэндвич-структуры DLC-Ni:C

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 509
  • 7844
  • Страницы: 115-122

Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в периодических массивах нановключений кремния в диоксиде циркония

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 7114
  • Страницы: 71-78

Способ формирования аморфных и кристаллических нанокластеров кремния в диэлектрических пленках

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 6892
  • Страницы: 66-71

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: