Статьи по ключевому слову "фотодетектор"
Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 3
- 318
- Страницы: 100-104
Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 15
- 813
- Страницы: 182-186
Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 6
- 997
- Страницы: 220-223
Температурная эволюция фотоэлектронных свойств нитевидных нанокристаллов фосфида галлия
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 30
- 1864
- Страницы: 119-124
Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 49
- 1939
- Страницы: 113-118
Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 11
- 2284
- Страницы: 439-443
Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 11
- 2383
- Страницы: 94-99
Моделирование параметров черенковского гамма-телескопа TAIGA-IACT с камерой на полупроводниковых фотодетекторах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 16
- 2773
- Страницы: 423-428
Энерго-информационный гибридный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 23
- 3187
- Страницы: 47-51
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 32
- 3508
- Страницы: 157-162
Детектирование давления света посредством двухволнового смешения в фоторефрактивном кристалле BaTiO3:Co
- Год: 2014
- Выпуск: 1
- 536
- 7995
- Страницы: 61-66