Статьи по ключевому слову "молекулярно-лучевая эпитаксия"
Влияние имплантации ионов Ar+ и Cd+ на состав и электронную структуру монокристаллического теллурида цинка
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 2
- 0
- 19
- Страницы: 84-97
Формирование упорядоченных квантовых точек InAs на структурированных поверхностях GaAs(111)B
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 6
- 912
- Страницы: 115-118
Локализованное формирование капель Ga на нанопрофилированных подложках кремния
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 6
- 858
- Страницы: 57-59
Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 11
- 981
- Страницы: 19-22
Температурное поведение квантово-каскадного лазера с селективным кольцевым резонатором, сформированным за счет травления дифракционной решетки с переменной глубиной
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 20
- 3128
- Страницы: 71-77
Моделирование адсорбции In на подложках AlxGa1–xAs в течение первых стадий капельной эпитаксии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 14
- 3609
- Страницы: 100-104
Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 21
- 3409
- Страницы: 79-83
Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si(111)
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 20
- 3380
- Страницы: 28-33
Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 22
- 5192
- Страницы: 50-55
Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 10
- 4851
- Страницы: 193-197
Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 23
- 4738
- Страницы: 122-127
Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 20
- 4748
- Страницы: 112-116
Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 17
- 4886
- Страницы: 79-83
Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 22
- 4886
- Страницы: 74-78
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 20
- 4628
- Страницы: 64-68
Наноразмерные слои гексаферрита BaFe12O19, выращенные методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии: рост, кристаллическая структура и магнитные свойства
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 14
- 5141
- Страницы: 363-368
Формирование диэлектрической гетероструктуры-подслоя для получения пленок теллурида свинца-олова
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 20
- 5243
- Страницы: 158-161
Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 23
- 5733
- Страницы: 59-63
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 5793
- Страницы: 48-53
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 16
- 5887
- Страницы: 36-41
Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 31
- 5874
- Страницы: 145-149
Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 1
- 9302
- Страницы: 28-31