Влияние имплантации ионов Ar+ и Cd+ на состав и электронную структуру монокристаллического теллурида цинка

Влияние ионной имплантации Ar⁺ и Cd⁺, а также последующего термического отжига было изучено на монокристаллическом образце ZnTe (111) с применением комплекса методов спектроскопии: ультрафиолетовой фотоэлектронной, поглощения света в УФ-. ИК-, видимой областях и Оже-электронной. Результаты исследований показали, что бомбардировка поверхности ионами Ar⁺ и Cd⁺ с энергией E₀= 1 кэВ до достижения дозы насыщения D_sat = (6−8)·10¹⁶ см^-2 приводит к разрушению кристаллической структуры ионно-имплантированных слоев и, как следствие, к металлизации поверхности. В частности, после имплантации ионами Cd⁺ и последующего отжига при температуре Т = 850 K наблюдается формирование гомогенной сплошной пленки Zn_0,5Cd_0,5Te толщиной 30 — 35 Å, что свидетельствует о перераспределении компонентов и образовании нового фазового состояния на поверхности ZnTe. Результаты исследования тонких пленок Zn_0,5Cd_0,5Te демонстрируют наличие двух отчетливо выраженных максимумов в спектрах валентных электронов, соответствующих энергиям связи -1,4 эВ и -5,2 эВ.