Статьи по ключевому слову "имплантация"

Особенности накопления структурных нарушений при имплантации ионов разных масс в альфа-оксид галлия при малых уровнях повреждения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 4
  • 12
  • 561
  • Страницы: 42-49

Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 8
  • 1127
  • Страницы: 162-166

Энергетический спектр и свойства сульфида свинца с имплантированным кислородом

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 405
  • 5853
  • Страницы: 9-20

Методика расчета молекулярного эффекта при ионном облучении на основе пороговой плотности каскадов смещений

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5366
  • Страницы: 29-33

Моделирование первичных радиационных дефектов в карбиде кремния  при бомбардировке ионами и кластерами углерода

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2010
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5608
  • Страницы: 17-23

Моделирование распыления поверхности карбида кремния при бомбардировке ионами и кластерами

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5354
  • Страницы: 67-74

Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5798
  • Страницы: 55-61

Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5577
  • Страницы: 49-55

Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами

Физическая электроника
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 5851
  • Страницы: 64-70