Уваров Александр Вячеславович
  • Место работы
    Академический университет им. Ж.И. Алфёрова РАН
  • Публикации

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 21
  • 2904
  • Страницы: 145-149

Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 14
  • 2956
  • Страницы: 150-154

Оптимизация контактной сетки для солнечных элементов на основе GaP/Si

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 9
  • 2904
  • Страницы: 93-96

Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 25
  • 3284
  • Страницы: 123-127

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 27
  • 2938
  • Страницы: 157-162

Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 7
  • 2244
  • Страницы: 90-95

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 7
  • 2300
  • Страницы: 176-181

Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT:PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 39
  • 2455
  • Страницы: 10-17

Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 1854
  • Страницы: 434-438

Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 1679
  • Страницы: 439-443

Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT:PSS

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 2232
  • Страницы: 468-472

Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 1831
  • Страницы: 473-478

Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 24
  • 1905
  • Страницы: 273-277

Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 398
  • Страницы: 199-203

Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 1
  • 180
  • Страницы: 152-156

Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 1
  • 186
  • Страницы: 251-255

Влияние поверхностно-активных веществ на поверхностное натяжение водного раствора PEDOT:PSS

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 197
  • Страницы: 279-282

Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 15
  • 617
  • Страницы: 17-24

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: