НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Уваров Александр Вячеславович
Подать статью
Последние выпуски
Уваров Александр Вячеславович

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
Казакин А.Н. Эннс Я.Б. Уваров А.В. Никитина Е.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 18
  • 2010
  • Страницы: 145-149

Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

Физическая электроника
Уваров А.В. Баранов А.И. Максимова А.А. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 2119
  • Страницы: 150-154

Оптимизация контактной сетки для солнечных элементов на основе GaP/Si

Математическое моделирование физических процессов
Богданова М.В. Уваров А.В. Гудовских А.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 9
  • 2007
  • Страницы: 93-96

Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

Физическая электроника
Максимова А.А. Уваров А.В. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 21
  • 2212
  • Страницы: 123-127

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Уваров А.В. Филатов В.В. Мизеров А.М. Тимошнев С.Н. Никитина Е.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 18
  • 2056
  • Страницы: 157-162

Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Кияницын С.Ю. Баранов А.И. Уваров А.В. Максимова А.А. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 5
  • 1381
  • Страницы: 90-95

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 6
  • 1392
  • Страницы: 176-181

Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT:PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

Физическая электроника
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Неплох В.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 36
  • 1591
  • Страницы: 10-17

Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

Физическая электроника
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 988
  • Страницы: 434-438

Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая электроника
Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Уваров А.В. Мизеров А.М. Никитина Е.В.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 800
  • Страницы: 439-443

Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT:PSS

Физическая электроника
Поздеев В.А. Уваров А.В. Гудовских А.С. Максимова А.А. Вячеславова Е.А.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 1174
  • Страницы: 468-472

Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

Физическая электроника
Вторыгин Г.Э. Баранов А.И. Уваров А.В. Максимова А.А. Вячеславова Е.А.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 951
  • Страницы: 473-478

Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства

Физическое материаловедение
Максимова А.А. Уваров А.В. Поздеев В.А. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 15
  • 826
  • Страницы: 273-277