Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Уваров Александр Вячеславович
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алфёрова РАН
Публикации
Orcid ID
0000-0002-0061-6687
Изготовление и исследование УФ — фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 30
- 5139
- Страницы: 145-149
Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H (i)/ μc-Si:H (n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 17
- 5146
- Страницы: 150-154
Оптимизация контактной сетки для солнечных элементов на основе GaP/Si
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 11
- 5199
- Страницы: 93-96
Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 40
- 5767
- Страницы: 123-127
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 35
- 4999
- Страницы: 157-162
Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 17
- 4064
- Страницы: 90-95
Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 11
- 4372
- Страницы: 176-181
Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT: PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 49
- 4789
- Страницы: 10-17
Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 17
- 4014
- Страницы: 434-438
Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 15
- 3726
- Страницы: 439-443
Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT: PSS
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 30
- 4686
- Страницы: 468-472
Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 21
- 3880
- Страницы: 473-478
Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 34
- 4195
- Страницы: 273-277
Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 20
- 2466
- Страницы: 199-203
Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 14
- 2117
- Страницы: 152-156
Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 11
- 2142
- Страницы: 251-255
Влияние поверхностно-активных веществ на поверхностное натяжение водного раствора PEDOT: PSS
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 15
- 2525
- Страницы: 279-282
Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 26
- 3048
- Страницы: 17-24
Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 64
- Страницы: 182-186
Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 41
- Страницы: 247-251
Исследование емкостных характеристик многослойных структур GaN/InP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 38
- Страницы: 258-262