Уваров Александр Вячеславович
  • Место работы
    Академический университет им. Ж.И. Алфёрова РАН
  • Публикации

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 22
  • 3042
  • Страницы: 145-149

Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 16
  • 3093
  • Страницы: 150-154

Оптимизация контактной сетки для солнечных элементов на основе GaP/Si

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 10
  • 3077
  • Страницы: 93-96

Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 3440
  • Страницы: 123-127

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 28
  • 3068
  • Страницы: 157-162

Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 8
  • 2390
  • Страницы: 90-95

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 8
  • 2459
  • Страницы: 176-181

Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT:PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 42
  • 2638
  • Страницы: 10-17

Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 1994
  • Страницы: 434-438

Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 1834
  • Страницы: 439-443

Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT:PSS

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 19
  • 2401
  • Страницы: 468-472

Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 1969
  • Страницы: 473-478

Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 26
  • 2061
  • Страницы: 273-277

Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 525
  • Страницы: 199-203

Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 2
  • 327
  • Страницы: 152-156

Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 3
  • 321
  • Страницы: 251-255

Влияние поверхностно-активных веществ на поверхностное натяжение водного раствора PEDOT:PSS

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 5
  • 340
  • Страницы: 279-282

Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 18
  • 811
  • Страницы: 17-24

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: