Цырлин  Георгий  Эрнстович
Цырлин Георгий Эрнстович

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 32
  • 5204
  • Страницы: 75-79

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 5474
  • Страницы: 31-35

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 38
  • 5397
  • Страницы: 281-284

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 32
  • 5332
  • Страницы: 311-314

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 25
  • 4585
  • Страницы: 153-157

Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 48
  • 4892
  • Страницы: 114-120

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 66
  • 5158
  • Страницы: 179-184

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 3892
  • Страницы: 289-293

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 4100
  • Страницы: 255-260

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 30
  • 4936
  • Страницы: 341-345

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 2903
  • Страницы: 306-309

Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 16
  • 2211
  • Страницы: 143-147

Рост нитевидных нанокристаллов GaN с вставками InN с помощью МПЭ-ПА

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 254
  • Страницы: 139-142

Рост методом МПЭ вюрцитных нитевидных нанокристаллов AlGaAs с включениями кубической кристаллографической фазы

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 301
  • Страницы: 148-151

Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111)

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 229
  • Страницы: 152-155

Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 4
  • 256
  • Страницы: 278-282

Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4.1
  • 0
  • 92
  • Страницы: 62-66

Две полосы в спектре фотолюминесценции от сверхрешетки InGaN/GaN, заключенной в нитевидный нанокристал GaN

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4.1
  • 0
  • 94
  • Страницы: 44-48