Цырлин Георгий Эрнстович

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 25
  • 2676
  • Страницы: 75-79

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 23
  • 2808
  • Страницы: 31-35

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 29
  • 2647
  • Страницы: 281-284

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 2639
  • Страницы: 311-314

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 2147
  • Страницы: 153-157

Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 32
  • 2285
  • Страницы: 114-120

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 44
  • 2477
  • Страницы: 179-184

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 8
  • 1539
  • Страницы: 289-293

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 5
  • 1517
  • Страницы: 255-260

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 22
  • 2394
  • Страницы: 341-345

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 95
  • Страницы: 306-309