Винниченко Максим Яковлевич
  • Место работы
    Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs / GaSb

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 643
  • 8617
  • Страницы: 15-21

Фотоиндуцированное поглощение в структурах с квантовыми точками Ce/Si

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2011
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 7563
  • Страницы: 46-50

Рекомбинация и захват электронов в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 7481
  • Страницы: 9-15

Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 7692
  • Страницы: 9-15

Исследование оптических свойств фотодитазина для расширения возможностей фотодинамической терапии

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2014
  • Выпуск: 3
  • 19
  • 7898
  • Страницы: 110-117

Примесная терагерцовая люминесценция  в наноструктурах с квантовыми ямами  при межзонном фотовозбуждении

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 88
  • 7575
  • Страницы: 56-65

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 114
  • 7638
  • Страницы: 66-76

Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7245
  • Страницы: 25-30

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 37
  • 2904
  • Страницы: 14-19

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs(P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 27
  • 3035
  • Страницы: 101-107

Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 197
  • 3221
  • Страницы: 29-38

Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 49
  • 2123
  • Страницы: 12-19

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 1776
  • Страницы: 143-148

Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 38
  • 2255
  • Страницы: 105-112

Нелинейные оптические эффекты в мезопористых SiO2 и Si/SiO2 наночастицах

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 9
  • 824
  • Страницы: 207-211

Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 11
  • 349
  • Страницы: 58-66

Влияние геометрии на оптические свойства полупроводниковых квантовых точек

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 318
  • Страницы: 88-94

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: