НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Подать статью

Статьи по ключевому слову "молекулярно-лучевая эпитаксия"

Формирование упорядоченных квантовых точек InAs на структурированных поверхностях GaAs(111)B

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Балакирев С.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Духан Д.Д. Ерёменко М.М. Солодовник М.С.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 0
  • 19
  • Страницы: 115-118

Локализованное формирование капель Ga на нанопрофилированных подложках кремния

Физика конденсированного состояния
Ерёменко М.М. Шандыба Н.А. Черненко Н.Е. Кириченко Д.В. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 1
  • 27
  • Страницы: 57-59

Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Ерёменко М.М. Духан Д.Д. Черненко Н.Е. Кириченко Д.В. Кугаевский А.Д. Махов И.С. Крыжановская Н.В. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 88
  • Страницы: 19-22

Температурное поведение квантово-каскадного лазера с селективным кольцевым резонатором, сформированным за счет травления дифракционной решетки с переменной глубиной

Физика конденсированного состояния
Папылев Д.С. Колодезный Е.С. Бабичев А.В. Харин Н.Ю. Вознюк Г.В. Митрофанов М.И. Слипченко С.О. Лютецкий А.В. Евтихиев В.П. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Паневин В.Ю. Пихтин Н.А. Егоров А.Ю.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 18
  • 2339
  • Страницы: 71-77

Моделирование адсорбции In на подложках AlxGa1–xAs в течение первых стадий капельной эпитаксии

Математическое моделирование физических процессов
Духан Д.Д. Балакирев С.В. Волошина Е.Н. Солодовник М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 2831
  • Страницы: 100-104

Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
Кириченко Д.В. Махов И.С. Балакирев С.В. Крыжановская Н.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 2588
  • Страницы: 79-83

Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si(111)

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Ерёменко М.М. Шаров В.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 19
  • 2593
  • Страницы: 28-33

Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

Физическая оптика
Бабичев А.В. Надточий А.М. Ткач Ю.С. Крыжановская Н.В. Блохин С.А. Неведомский В.Н. Гладышев А.Г. Малеев Н.А. Карачинский Л.Я. Новиков И.И.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 20
  • 4289
  • Страницы: 50-55

Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов

Математическое моделирование физических процессов
Духан Д.Д. Балакирев С.В. Волошина Е.Н. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 4112
  • Страницы: 193-197

Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

Физика конденсированного состояния
Ерёменко М.М. Никитина Л.С. Житяева Ю.Ю. Лахина Е.А. Климин В.С. Агеев О.А.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 3993
  • Страницы: 122-127

Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

Физика конденсированного состояния
Кукенов О.И. Соколов А.С. Дирко В.В. Лозовой К.А. Коханенко А.П.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 20
  • 3974
  • Страницы: 112-116

Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Шаров В.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 16
  • 4088
  • Страницы: 79-83

Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности

Физика конденсированного состояния
Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 4055
  • Страницы: 74-78

Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
Черненко Н.Е. Махов И.С. Балакирев С.В. Кириченко Д.В. Шандыба Н.А. Крыжановская Н.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 3853
  • Страницы: 64-68

Наноразмерные слои гексаферрита BaFe12O19, выращенные методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии: рост, кристаллическая структура и магнитные свойства

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Кричевцов Б.Б. Коровин А.М. Сутурин С.М. Соколов Н.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 4328
  • Страницы: 363-368

Формирование диэлектрической гетероструктуры-подслоя для получения пленок теллурида свинца-олова

Физика конденсированного состояния
Кавеев А.К.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 4467
  • Страницы: 158-161

Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

Физика конденсированного состояния
Никитина Л.С. Лахина Е.А. Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Солодовник М.С. Агеев О.А.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 23
  • 4975
  • Страницы: 59-63

Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
Черненко Н.Е. Кириченко Д.В. Шандыба Н.А. Балакирев С.В. Ерёменко М.М. Солодовник М.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 17
  • 4888
  • Страницы: 48-53

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 15
  • 5051
  • Страницы: 36-41

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
Казакин А.Н. Эннс Я.Б. Уваров А.В. Никитина Е.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 30
  • 5139
  • Страницы: 145-149

Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций

Физика конденсированного состояния
Мамаев В.В. Сидоров В.Г. Петров С.И. Алексеев А.Н.
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 8637
  • Страницы: 28-31