НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Подать статью

Статьи по ключевому слову "молекулярно-лучевая эпитаксия"

Моделирование адсорбции In на подложках AlxGa1–xAs в течение первых стадий капельной эпитаксии

Математическое моделирование физических процессов
Духан Д.Д. Балакирев С.В. Волошина Е.Н. Солодовник М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 62
  • Страницы: 100-104

Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
Кириченко Д.В. Махов И.С. Балакирев С.В. Крыжановская Н.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 61
  • Страницы: 79-83

Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si(111)

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Ерёменко М.М. Шаров В.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 70
  • Страницы: 28-33

Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

Физическая оптика
Бабичев А.В. Надточий А.М. Ткач Ю.С. Крыжановская Н.В. Блохин С.А. Неведомский В.Н. Гладышев А.Г. Малеев Н.А. Карачинский Л.Я. Новиков И.И.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 1603
  • Страницы: 50-55

Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов

Математическое моделирование физических процессов
Духан Д.Д. Балакирев С.В. Волошина Е.Н. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 1563
  • Страницы: 193-197

Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

Физика конденсированного состояния
Ерёменко М.М. Никитина Л.С. Житяева Ю.Ю. Лахина Е.А. Климин В.С. Агеев О.А.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 16
  • 1558
  • Страницы: 122-127

Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

Физика конденсированного состояния
Кукенов О.И. Соколов А.С. Дирко В.В. Лозовой К.А. Коханенко А.П.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 1606
  • Страницы: 112-116

Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Шаров В.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 1607
  • Страницы: 79-83

Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности

Физика конденсированного состояния
Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 1583
  • Страницы: 74-78

Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
Черненко Н.Е. Махов И.С. Балакирев С.В. Кириченко Д.В. Шандыба Н.А. Крыжановская Н.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 1521
  • Страницы: 64-68

Наноразмерные слои гексаферрита BaFe12O19, выращенные методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии: рост, кристаллическая структура и магнитные свойства

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Кричевцов Б.Б. Коровин А.М. Сутурин С.М. Соколов Н.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 7
  • 1947
  • Страницы: 363-368

Формирование диэлектрической гетероструктуры-подслоя для получения пленок теллурида свинца-олова

Физика конденсированного состояния
Кавеев А.К.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 14
  • 2142
  • Страницы: 158-161

Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

Физика конденсированного состояния
Никитина Л.С. Лахина Е.А. Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Солодовник М.С. Агеев О.А.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 16
  • 2612
  • Страницы: 59-63

Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
Черненко Н.Е. Кириченко Д.В. Шандыба Н.А. Балакирев С.В. Ерёменко М.М. Солодовник М.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 13
  • 2518
  • Страницы: 48-53

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 12
  • 2576
  • Страницы: 36-41

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
Казакин А.Н. Эннс Я.Б. Уваров А.В. Никитина Е.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 18
  • 2642
  • Страницы: 145-149

Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций

Физика конденсированного состояния
Мамаев В.В. Сидоров В.Г. Петров С.И. Алексеев А.Н.
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 6418
  • Страницы: 28-31