Статьи по ключевому слову "молекулярно-лучевая эпитаксия"

Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 7
  • 902
  • Страницы: 50-55

Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 931
  • Страницы: 193-197

Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 918
  • Страницы: 122-127

Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 991
  • Страницы: 112-116

Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 986
  • Страницы: 79-83

Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 928
  • Страницы: 74-78

Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 904
  • Страницы: 64-68

Наноразмерные слои гексаферрита BaFe12O19, выращенные методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии: рост, кристаллическая структура и магнитные свойства

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 1393
  • Страницы: 363-368

Формирование диэлектрической гетероструктуры-подслоя для получения пленок теллурида свинца-олова

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 1568
  • Страницы: 158-161

Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 16
  • 2008
  • Страницы: 59-63

Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 11
  • 1960
  • Страницы: 48-53

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 10
  • 1981
  • Страницы: 36-41

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 18
  • 2014
  • Страницы: 145-149

Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 5772
  • Страницы: 28-31