НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки
Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Найти
О журнале
Меню
Редакционная коллегия
Главный редактор
Архив выпусков
Авторам
Меню
Содержание и структура статьи
Оформление статьи
Этика научных публикаций
Искусственный интеллект
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Аннотация к статье
Список литературы
Оформление рисунков
Лицензионное соглашение
График выхода журналов
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
Котляр Константин Павлович
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 17
Выпуск 4
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3.2
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3.1
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3
Полный текст
Котляр Константин Павлович
konstantin21kt@gmail.com
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
Физика конденсированного состояния
Резник Р.Р.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Убыйвовк Е.В.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Цырлин Г.Э.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3
24
3175
Страницы: 31-35
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Баранов А.И.
Максимова А.А.
Резник Р.Р.
Цырлин Г.Э.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3
31
3045
Страницы: 281-284
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
Физическое материаловедение
Гридчин В.О.
Резник Р.Р.
Котляр К.П.
Шугабаев Т.М.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Цырлин Г.Э.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3
27
2979
Страницы: 311-314
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
Физика конденсированного состояния
Резник Р.Р.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Самсоненко Ю.Б.
Сошников И.П.
Хребтов А.И.
Цырлин Г.Э.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.1
17
2479
Страницы: 153-157
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
Физическая оптика
Комаров С.Д.
Гридчин В.О.
Лендяшова В.В.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Дворецкая Н.В.
Драгунова А.С.
Махов И.С.
Надточий А.М.
Крыжановская Н.В.
Цырлин Г.Э.
Жуков А.Е.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.2
36
2709
Страницы: 114-120
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Максимова А.А.
Цырлин Г.Э.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.2
49
2843
Страницы: 179-184
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Илькив И.В.
Котляр К.П.
Осипов А.В.
Резник Р.Р.
Цырлин Г.Э.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1
10
1928
Страницы: 289-293
Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS
Физическое материаловедение
Шугабаев Т.М.
Гридчин В.О.
Резник Р.Р.
Хребтов А.И.
Мельниченко И.А.
Кулагина А.С.
Котляр К.П.
Лендяшова В.В.
Крыжановская Н.В.
Цырлин Г.Э.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.2
7
1850
Страницы: 255-260
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Илькив И.В.
Котляр К.П.
Кириленко Д.А.
Шаров В.А.
Резник Р.Р.
Цырлин Г.Э.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.1
24
2761
Страницы: 341-345
Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки
Физика молекул, кластеров и наноструктур
Гридчин В.О.
Шугабаев Т.М.
Лендяшова В.В.
Котляр К.П.
Хребтов А.И.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Резник Р.Р.
Цырлин Г.Э.
Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.2
6
339
Страницы: 143-147
Сообщить автору об опечатке:
Адрес страницы с ошибкой:
Текст с ошибкой:
Ваш комментарий или корректная версия: