Резник  Родион  Романович
Резник Родион Романович

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 30
  • 5051
  • Страницы: 75-79

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 5319
  • Страницы: 31-35

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 38
  • 5243
  • Страницы: 281-284

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 31
  • 5185
  • Страницы: 311-314

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 4440
  • Страницы: 153-157

Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 48
  • 4748
  • Страницы: 114-120

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 66
  • 5008
  • Страницы: 179-184

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 3749
  • Страницы: 289-293

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 3932
  • Страницы: 255-260

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 30
  • 4797
  • Страницы: 341-345

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 2765
  • Страницы: 306-309

Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 16
  • 2071
  • Страницы: 143-147

Рост нитевидных нанокристаллов GaN с вставками InN с помощью МПЭ-ПА

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 60
  • Страницы: 139-142

Рост методом МПЭ вюрцитных нитевидных нанокристаллов AlGaAs с включениями кубической кристаллографической фазы

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 64
  • Страницы: 148-151

Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 57
  • Страницы: 278-282