Вячеславова Екатерина Александровна
Вячеславова Екатерина Александровна
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алфёрова РАН
Публикации

Исследование адсорбционнымх свойств квази 1-Д наноструктур кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 57
  • 4961
  • Страницы: 10-15

Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H (i)/ μc-Si:H (n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 17
  • 4834
  • Страницы: 150-154

Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 38
  • 5370
  • Страницы: 123-127

Модификация оптических и электрических свойств пленок NiO с примененим термического отжига

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 17
  • 4805
  • Страницы: 285-289

Исследование адсорбционных свойств квазиодномерных наноструктур кремния методом спектроскопии электрического импеданса

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 29
  • 4348
  • Страницы: 43-48

Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 17
  • 3747
  • Страницы: 90-95

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 10
  • 4027
  • Страницы: 176-181

Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT: PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 49
  • 4437
  • Страницы: 10-17

Селективный анализ состава паров с помощью нанонитей и спектроскопии электрического импеданса

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 3590
  • Страницы: 151-156

Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 3692
  • Страницы: 434-438

Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT: PSS

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 29
  • 4311
  • Страницы: 468-472

Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 3572
  • Страницы: 473-478

Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 30
  • 3815
  • Страницы: 273-277

Влияние угла падения света на характеристики кремниевых солнечных элементов с различным текстурированием

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 2068
  • Страницы: 134-137

Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 2113
  • Страницы: 199-203

Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 12
  • 1757
  • Страницы: 152-156

Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 11
  • 1790
  • Страницы: 251-255

Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 25
  • 2679
  • Страницы: 17-24

Создание оптических изолированных микрорезонаторов GaP (NAs) на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 29
  • 2889
  • Страницы: 25-35

Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 8
  • 3001
  • Страницы: 77-82