НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "InGaN"

    Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров

    Физическое материаловедение
    Шугабаев Т.Харченко А.А.Даутов А.М.Кузнецов А.Лендяшова В.В.Крыжановская Н.В.Резник Р.Р.Гридчин В.О.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 13
    • 1561
    • Страницы: 278-282

    Оптические свойства дисковых микрорезонаторов на основе широкозонных III-N материалов

    Физическая оптика
    Комаров С.Д.Войнилович А.Г.Фейгин Г.А.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Иванов К.А.Моисеев Э.И.Крыжановская Н.В.Никитина Е.В.Цацульников А.Ф.Луценко Е.В.Жуков А.Е.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 9
    • 1476
    • Страницы: 209-213

    Исследование микродисковых лазеров с InGaN/GaN квантовой ямой в активной области при повышенных температурах

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Масютин Д.А.Руднев А.А.Моисеев Э.И.Войнилович А.Г.Луценко Е.В.Цацульников А.Ф.Сахаров А.В.Артеев Д.С.Николаев А.Е.Пивоварова А.А.Заварин Е.Е.Ильинская Н.Д.Марков Л.К.Смирнова И.П.Крыжановская Н.В.Жуков А.Е.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 17
    • 1648
    • Страницы: 125-128

    Пороговый ток отдельных спектральных составляющих спектра излучения светодиодов на основе InGaN

    Приборы и техника физического эксперимента
    Фролов И.В.Радаев О.А.Сергеев В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 13
    • 3717
    • Страницы: 161-165

    Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

    Физика молекул, кластеров и наноструктур
    Гридчин В.О.Шугабаев Т.Лендяшова В.В.Котляр К.П.Хребтов А.И.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 20
    • 3461
    • Страницы: 143-147

    Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

    Физическое материаловедение
    Шугабаев Т.Гридчин В.О.Кузнецов А.Кулагина А.С.Хребтов А.И.Лендяшова В.В.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 20
    • 4130
    • Страницы: 306-309

    Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

    Физическое материаловедение
    Шугабаев Т.Гридчин В.О.Резник Р.Р.Хребтов А.И.Мельниченко И.А.Кулагина А.С.Котляр К.П.Лендяшова В.В.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 14
    • 5282
    • Страницы: 255-260

    Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Резник Р.Р.Кириленко Д.А.Баранов А.И.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Максимова А.А.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 70
    • 6447
    • Страницы: 179-184

    Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

    Физическая электроника
    Шабунина Е.И.Иванов А.Е.Тальнишних Н.А.Карташова А.П.Полоскин Д.С.Шмидт Н.П.Закгейм А.Л.Черняков А.Е.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 35
    • 6198
    • Страницы: 70-76

    Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

    Физическое материаловедение
    Гридчин В.О.Резник Р.Р.Котляр К.П.Шугабаев Т.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 32
    • 6509
    • Страницы: 311-314

    Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Баранов А.И.Максимова А.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 39
    • 6618
    • Страницы: 281-284

    Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

    Физика конденсированного состояния
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Цацульников А.Ф.Устинов В.М.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 27
    • 6470
    • Страницы: 21-24

    Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN

    Приборы и техника физического эксперимента
    Басалкевич Т.М.Тальнишних Н.А.Шмидт Н.П.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 10006
    • Страницы: 45-48

    Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения

    Приборы и техника физического эксперимента
    Сидоров В.Г.Шмидт Н.П.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 2
    • 10
    • 9728
    • Страницы: 71-80