Статьи по ключевому слову "InGaN"

Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 4
  • 599
  • Страницы: 278-282

Оптические свойства дисковых микрорезонаторов на основе широкозонных III-N материалов

Физическая оптика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 619
  • Страницы: 209-213

Исследование микродисковых лазеров с InGaN/GaN квантовой ямой в активной области при повышенных температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 774
  • Страницы: 125-128

Пороговый ток отдельных спектральных составляющих спектра излучения светодиодов на основе InGaN

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 12
  • 2861
  • Страницы: 161-165

Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 17
  • 2587
  • Страницы: 143-147

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 3271
  • Страницы: 306-309

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 4452
  • Страницы: 255-260

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 68
  • 5549
  • Страницы: 179-184

Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 33
  • 5247
  • Страницы: 70-76

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 32
  • 5680
  • Страницы: 311-314

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 38
  • 5778
  • Страницы: 281-284

Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 27
  • 5644
  • Страницы: 21-24

Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 9213
  • Страницы: 45-48

Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 8911
  • Страницы: 71-80