Статьи по ключевому слову "InGaN"

Пороговый ток отдельных спектральных составляющих спектра излучения светодиодов на основе InGaN

Приборы и техника физического эксперимента

Фролов И.В. Радаев О.А. Сергеев В.А.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.2

5
602
Страницы: 161-165

Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

Физика молекул, кластеров и наноструктур

Гридчин В.О. Шугабаев Т.М. Лендяшова В.В. Котляр К.П. Хребтов А.И. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.2

10
661
Страницы: 143-147

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Физическое материаловедение

Шугабаев Т.М. Гридчин В.О. Кузнецов А. Кулагина А.С. Хребтов А.И. Лендяшова В.В. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.1

9
885
Страницы: 306-309

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение

Шугабаев Т.М. Гридчин В.О. Резник Р.Р. Хребтов А.И. Мельниченко И.А. Кулагина А.С. Котляр К.П. Лендяшова В.В. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.2

8
2160
Страницы: 255-260

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение

Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Резник Р.Р. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Максимова А.А. Цырлин Г.Э.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.2

53
3217
Страницы: 179-184

Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Физическая электроника

Шабунина Е.И. Иванов А.Е. Тальнишних Н.А. Карташова А.П. Полоскин Д.С. Шмидт Н.П. Закгейм А.Л. Черняков А.Е.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.2

27
3104
Страницы: 70-76

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение

Гридчин В.О. Резник Р.Р. Котляр К.П. Шугабаев Т.М. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

27
3307
Страницы: 311-314

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение

Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Баранов А.И. Максимова А.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

35
3368
Страницы: 281-284

Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

Физика конденсированного состояния

Артеев Д.С. Сахаров А.В. Николаев А.Е. Заварин Е.Е. Цацульников А.Ф. Устинов В.М.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.2

25
3514
Страницы: 21-24

Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN

Приборы и техника физического эксперимента

Басалкевич Т.М. Тальнишних Н.А. Шмидт Н.П.

Год: 2012
Выпуск: 3

0
7208
Страницы: 45-48

Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения

Приборы и техника физического эксперимента

Сидоров В.Г. Шмидт Н.П.

Год: 2013
Выпуск: 2

6
6929
Страницы: 71-80

Сообщить автору об опечатке: