Статьи по ключевому слову "InGaN"
Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 4
- 851
- Страницы: 255-260
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 41
- 1733
- Страницы: 179-184
Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 19
- 1714
- Страницы: 70-76
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 1982
- Страницы: 311-314
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 25
- 2025
- Страницы: 281-284
Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 20
- 2214
- Страницы: 21-24
Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 5936
- Страницы: 45-48
Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 5
- 5649
- Страницы: 71-80