Статьи по ключевому слову "InGaN"
Пороговый ток отдельных спектральных составляющих спектра излучения светодиодов на основе InGaN
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 0
- 17
- Страницы: 161-165
Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 6
- 275
- Страницы: 306-309
Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 5
- 1611
- Страницы: 255-260
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 44
- 2571
- Страницы: 179-184
Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 23
- 2480
- Страницы: 70-76
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 26
- 2730
- Страницы: 311-314
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 29
- 2747
- Страницы: 281-284
Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 22
- 2974
- Страницы: 21-24
Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 6649
- Страницы: 45-48
Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 5
- 6387
- Страницы: 71-80