Балакирев Сергей Вячеславович
Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
- 2024, Том 17 Выпуск 4 Полный текст
- 2024, Том 17 Выпуск 3.2 Полный текст
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 14
- 3368
- Страницы: 36-41
Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 11
- 3475
- Страницы: 42-47
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 14
- 3224
- Страницы: 48-53
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 3320
- Страницы: 54-58
Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 18
- 3329
- Страницы: 59-63
Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 17
- 3373
- Страницы: 315-319
Капельная эпитаксия селективно-позиционированных наноструктур In/GaAs(001) с переменным дистанцированием: эксперимент и моделирование
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 19
- 2338
- Страницы: 41-46
Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 36
- 2698
- Страницы: 53-58
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 16
- 2275
- Страницы: 64-68
Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 19
- 2392
- Страницы: 74-78
Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 15
- 2376
- Страницы: 79-83
Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 9
- 2419
- Страницы: 193-197
Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si(111)
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 9
- 925
- Страницы: 28-33
Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 6
- 925
- Страницы: 38-42
Влияние условий отжига на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками на поверхности GaAs(111)
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 8
- 978
- Страницы: 58-62
Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 10
- 907
- Страницы: 75-78
Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 12
- 952
- Страницы: 79-83
Моделирование адсорбции In на подложках AlxGa1–xAs в течение первых стадий капельной эпитаксии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 11
- 990
- Страницы: 100-104
Моделирование полностью оптического логического компаратора на основе фотонного кристалла GaAs, работающего на длине волны 1.3 мкм
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 7
- 939
- Страницы: 105-109