НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Подать статью

Статьи по ключевому слову "арсенид галлия"

Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

Физическая оптика
Бабичев А.В. Папылев Д.С. Комаров С.Д. Крыжановская Н.В. Блохин С.А. Неведомский В.Н. Гладышев А.Г. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Егоров А.Ю.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 21
  • Страницы: 233-237

Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si(111)

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Ерёменко М.М. Шаров В.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 69
  • Страницы: 28-33

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Адамов Р.Б. Мелентьев Г.А. Подоскин А.А. Слипченко С.О. Седова И.В. Сорокин С.В. Махов И.С. Фирсов Д.А. Шалыгин В.А.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 1199
  • Страницы: 68-76

Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
Бердников В.С. Кузнецова М.С. Кавокин К.В. Джиоев Р.И.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 1101
  • Страницы: 31-36

Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

Объемные свойства полупроводников
Здоровейщев Д.А. Вихрова О.В. Данилов Ю.А. Дудин Ю.А. Здоровейщев А.В. Парафин А.Е. Дроздов М.Н.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 10
  • 1055
  • Страницы: 20-24

Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

Физическая оптика
Бабичев А.В. Надточий А.М. Ткач Ю.С. Крыжановская Н.В. Блохин С.А. Неведомский В.Н. Гладышев А.Г. Малеев Н.А. Карачинский Л.Я. Новиков И.И.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 1603
  • Страницы: 50-55

Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Шаров В.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 1607
  • Страницы: 79-83

Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек

Физика конденсированного состояния
Лахина Е.А. Шандыба Н.А. Черненко Н.Е. Кириченко Д.В. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 30
  • 1830
  • Страницы: 53-58

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
Петрук А.Д. Харин Н.Ю. Винниченко М.Я. Норватов И.А. Фёдоров В.В. Фирсов Д.А.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 33
  • 2048
  • Страницы: 14-19

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Солодовник М.С. Агеев О.А.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 21
  • 2568
  • Страницы: 54-58

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Солодовник М.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 12
  • 2576
  • Страницы: 36-41