Статьи по ключевому слову "арсенид галлия" | Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки

Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников

Бердников В.С. Кавокин К.В. Кузнецова М.С. Литвяк В.М. Бажин П.С.

Год: 2025
Том: 18
Выпуск: 1.1

43
3268
Страницы: 6-10

Численная оптимизация полупроводниковой волноводной структуры

Математическое моделирование физических процессов

Костромин Н.А. Дашков А.С. Барыкин Д. А.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.2

12
1963
Страницы: 98-102

Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

Физическая оптика

Бабичев А.В. Папылев Д.С. Комаров С.Д. Крыжановская Н.В. Блохин С.А. Неведомский В.Н. Гладышев А.Г. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Егоров А.Ю.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.1

20
2364
Страницы: 233-237

Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si(111)

Физика конденсированного состояния

Шандыба Н.А. Ерёменко М.М. Шаров В.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.1

17
2267
Страницы: 28-33

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы

Адамов Р.Б. Мелентьев Г.А. Подоскин А.А. Слипченко С.О. Седова И.В. Сорокин С.В. Махов И.С. Фирсов Д.А. Шалыгин В.А.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 1.1

26
3277
Страницы: 68-76

Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников

Бердников В.С. Кузнецова М.С. Кавокин К.В. Джиоев Р.И.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 1.1

33
3008
Страницы: 31-36

Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

Объемные свойства полупроводников

Здоровейщев Д.А. Вихрова О.В. Данилов Ю.А. Дудин Ю.А. Здоровейщев А.В. Парафин А.Е. Дроздов М.Н.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 1.1

18
3225
Страницы: 20-24

Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

Физическая оптика

Бабичев А.В. Надточий А.М. Ткач Ю.С. Крыжановская Н.В. Блохин С.А. Неведомский В.Н. Гладышев А.Г. Малеев Н.А. Карачинский Л.Я. Новиков И.И.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.2

19
3920
Страницы: 50-55

Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

Физика конденсированного состояния

Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Шаров В.А. Балакирев С.В. Солодовник М.С.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1

16
3731
Страницы: 79-83

Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек

Физика конденсированного состояния

Лахина Е.А. Шандыба Н.А. Черненко Н.Е. Кириченко Д.В. Балакирев С.В. Солодовник М.С.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1

38
4197
Страницы: 53-58

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников

Петрук А.Д. Харин Н.Ю. Винниченко М.Я. Норватов И.А. Федоров В.В. Фирсов Д.А.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.3

39
3883
Страницы: 14-19

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния

Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Солодовник М.С. Агеев О.А.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

23
4688
Страницы: 54-58

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния

Шандыба Н.А. Кириченко Д.В. Черненко Н.Е. Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Солодовник М.С.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

15
4723
Страницы: 36-41