Статьи по ключевому слову "гетероструктура"
Влияние имплантации ионов Ar+ и Cd+ на состав и электронную структуру монокристаллического теллурида цинка
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 2
- 0
- 72
- Страницы: 84-97
Влияние режимов переключения электрического поля на поляризационные свойства эпитаксиальных гетероструктур на основе цирконата-титаната свинца
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 2
- 2
- 81
- Страницы: 9-15
Фотоэлектрические свойства диодов на основе полупроводникового силицида магния
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1
- 10
- 638
- Страницы: 19-29
Поверхностно освещаемые высокотемпературные фотодиоды на основе гетероструктур n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 7
- 933
- Страницы: 110-114
Измерение толщины барьерного слоя в гетероструктурах AlGaN/GaN методом спектроскопии оптического отражения: сравнение с рентгеновской рефлектометрией
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 9
- 926
- Страницы: 143-147
Влияние дырочных состояний на электронные и электростатические свойства двухмерных слоев на основе гетероструктуры кремний-германий-кремний
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 28
- 4215
- Страницы: 22-29
Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 7
- 4247
- Страницы: 140-144
Особенности конструкции гетероструктур для мощных лазерных диодов спектрального диапазона 975 нм
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 6
- 3199
- Страницы: 129-133
Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 48
- 4773
- Страницы: 120-133
Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 24
- 4617
- Страницы: 61-70
Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 15
- 3823
- Страницы: 155-159
Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 26
- 5255
- Страницы: 38-46
Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 33
- 4734
- Страницы: 449-453
Эмиссионные, оптические и электрофизические свойства нанопленок GaInP/GaP
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 2
- 31
- 6215
- Страницы: 89-97
Измерение внутреннего квантового выхода излучения в локальных областях кристалла светодиода
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 18
- 5985
- Страницы: 226-229
Гигантский латеральный фотовольтаический эффект в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 33
- 6990
- Страницы: 32-37
Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора
- Год: 2009
- Выпуск: 1
- 0
- 9148
- Страницы: 43-48
Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)
- Год: 2017
- Том: 10
- Выпуск: 2
- 69
- 9587
- Страницы: 123-132
Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
- Год: 2016
- Выпуск: 1
- 243
- 9515
- Страницы: 98-108
Желто-зеленая фотолюминесценция электронно-дырочной жидкости в туннельно-прозрачных кремниево-германиевых слоях кремниевых гетероструктур
- Год: 2013
- Выпуск: 3
- 378
- 9779
- Страницы: 60-68
Методика исследования поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах CdS/p-Si
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 1
- 9439
- Страницы: 27-32