НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
ru Русский
Версия для слабовидящих
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Автор Шубина Ксения Юрьевна
Подать статью
Последние выпуски
Шубина Ксения Юрьевна
  • Место работы
    Академический университет им. Ж.И. Алферова
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация
  • Публикации

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Уваров А.В. Филатов В.В. Мизеров А.М. Тимошнев С.Н. Никитина Е.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 30
  • 3200
  • Страницы: 157-162

Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

Физика конденсированного состояния
Никитина Е.В. Березовская Т.Н. Пирогов Е.В. Василькова Е.И. Шубина К.Ю. Синицкая О.А. Соболев М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 2075
  • Страницы: 133-137

Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая электроника
Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Уваров А.В. Мизеров А.М. Никитина Е.В.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 1972
  • Страницы: 439-443

Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

Физическая оптика
Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Баранов А.И. Мизеров А.М. Никитина Е.В.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 685
  • Страницы: 220-223

Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

Физическая электроника
Баранцев О.В. Василькова Е.И. Пирогов Е.В. Шубина К.Ю. Баранов А.И. Воропаев К.О. Васильев А.А. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Соболев М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 485
  • Страницы: 182-186

Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
Никитина Е.В. Шубина К.Ю. Соболев М.С. Пирогов Е.В.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 6
  • 444
  • Страницы: 275-278

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: