Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si (111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 15
- 4770
- Страницы: 36-41
Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 12
- 4961
- Страницы: 42-47
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 17
- 4583
- Страницы: 48-53
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 23
- 4721
- Страницы: 54-58
Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 23
- 4684
- Страницы: 59-63
Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 18
- 4779
- Страницы: 315-319
Капельная эпитаксия селективно-позиционированных наноструктур In/GaAs (001) с переменным дистанцированием: эксперимент и моделирование
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 20
- 3738
- Страницы: 41-46
Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 38
- 4242
- Страницы: 53-58
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 18
- 3584
- Страницы: 64-68
Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 20
- 3759
- Страницы: 74-78
Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si (111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 16
- 3777
- Страницы: 79-83
Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 10
- 3831
- Страницы: 193-197
Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si (111)
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 19
- 2304
- Страницы: 28-33
Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2263
- Страницы: 38-42
Влияние условий отжига на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками на поверхности GaAs (111)
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 13
- 2447
- Страницы: 58-62
Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 13
- 2210
- Страницы: 75-78
Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 18
- 2313
- Страницы: 79-83
Моделирование адсорбции In на подложках AlxGa1-xAs в течение первых стадий капельной эпитаксии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2520
- Страницы: 100-104
Моделирование полностью оптического логического компаратора на основе фотонного кристалла GaAs, работающего на длине волны 1.3 мкм
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2356
- Страницы: 105-109