Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si (111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 15
- 5049
- Страницы: 36-41
Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 12
- 5249
- Страницы: 42-47
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 17
- 4888
- Страницы: 48-53
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 23
- 4999
- Страницы: 54-58
Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 23
- 4975
- Страницы: 59-63
Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 19
- 5061
- Страницы: 315-319
Капельная эпитаксия селективно-позиционированных наноструктур In/GaAs (001) с переменным дистанцированием: эксперимент и моделирование
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 20
- 4048
- Страницы: 41-46
Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 38
- 4581
- Страницы: 53-58
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 18
- 3853
- Страницы: 64-68
Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 21
- 4055
- Страницы: 74-78
Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si (111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 16
- 4086
- Страницы: 79-83
Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 10
- 4112
- Страницы: 193-197
Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si (111)
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 19
- 2592
- Страницы: 28-33
Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2573
- Страницы: 38-42
Влияние условий отжига на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучками на поверхности GaAs (111)
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 14
- 2725
- Страницы: 58-62
Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 15
- 2492
- Страницы: 75-78
Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 18
- 2587
- Страницы: 79-83
Моделирование адсорбции In на подложках AlxGa1-xAs в течение первых стадий капельной эпитаксии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 14
- 2830
- Страницы: 100-104
Моделирование полностью оптического логического компаратора на основе фотонного кристалла GaAs, работающего на длине волны 1.3 мкм
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2641
- Страницы: 105-109
Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si (111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 85
- Страницы: 19-22
Оптические исследования меза-структур на основе квантовых ям InGaAs/GaAs с золь-гель пассивацией SiO2
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 43
- Страницы: 237-241
Инжекционные торцевые микролазеры с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 27
- Страницы: 29-32
Локализованное формирование капель Ga на нанопрофилированных подложках кремния
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 25
- Страницы: 57-59
Моделирование распространения света в волноводах, связанных с гексагональными микрополостями, сформированными в фотонном кристалле на основе GaAs
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 16
- Страницы: 86-90
Формирование упорядоченных квантовых точек InAs на структурированных поверхностях GaAs (111)B
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 13
- Страницы: 115-118