Гридчин Владислав Олегович

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 24
  • 3525
  • Страницы: 31-35

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 35
  • 3391
  • Страницы: 281-284

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 27
  • 3328
  • Страницы: 311-314

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 17
  • 2796
  • Страницы: 153-157

Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 41
  • 3114
  • Страницы: 114-120

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 54
  • 3239
  • Страницы: 179-184

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 2181
  • Страницы: 255-260

Сенсоры давления и температуры на основе мембраны ZnO-ПДМС для носимой электроники

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 931
  • Страницы: 63-67

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 910
  • Страницы: 306-309

Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 683
  • Страницы: 143-147

Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 1
  • 95
  • Страницы: 77-82

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: