Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
- 2024, Том 17 Выпуск 4 Полный текст
- 2024, Том 17 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2024, Том 17 Выпуск 3.1 Полный текст
Статьи из рубрики "Рост структуры, поверхность и интерфейсы"
Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 30
- 1729
- Страницы: 49-54
Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 24
- 1798
- Страницы: 43-48
Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 15
- 1734
- Страницы: 37-42
Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 19
- 2691
- Страницы: 62-66
Формирование и магнитные свойства ультратонких пленок силицидов кобальта на поверхности кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 41
- 2845
- Страницы: 55-61
Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 27
- 2666
- Страницы: 50-54
Повышение эффективности удаления остаточного полимера после переноса графена для повышения чувствительности сенсоров
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 49
- 2921
- Страницы: 44-49
Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 35
- 2855
- Страницы: 39-43