Статьи из рубрики "Рост структуры, поверхность и интерфейсы"

Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 22
  • 1125
  • Страницы: 49-54

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 1226
  • Страницы: 43-48

Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 1160
  • Страницы: 37-42

Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 16
  • 2177
  • Страницы: 62-66

Формирование и магнитные свойства ультратонких пленок силицидов кобальта на поверхности кремния

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 37
  • 2364
  • Страницы: 55-61

Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 23
  • 2181
  • Страницы: 50-54

Повышение эффективности удаления остаточного полимера после переноса графена для повышения чувствительности сенсоров

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 46
  • 2357
  • Страницы: 44-49

Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 28
  • 2350
  • Страницы: 39-43