Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Статьи из рубрики "Рост структуры, поверхность и интерфейсы"
Исследование структурных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок титаната бария
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 6
- 3198
- Страницы: 40-45
Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 19
- 3127
- Страницы: 34-39
Пассивация фронтальной поверхности фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения на основе узкозонных материалов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 14
- 3204
- Страницы: 28-33
Наноструктурная инженерия наноматериалов на основе ZnO, содопированного Cu и Al, для сенсорных и фотокаталитических приложений
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 14
- 3185
- Страницы: 22-27
Эпитаксиальный рост AlGaAs из Bi-содержащих расплавов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 12
- 3296
- Страницы: 17-21
Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 33
- 3160
- Страницы: 49-54
Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 26
- 3327
- Страницы: 43-48
Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 18
- 2989
- Страницы: 37-42
Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 21
- 3940
- Страницы: 62-66
Формирование и магнитные свойства ультратонких пленок силицидов кобальта на поверхности кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 48
- 4108
- Страницы: 55-61
Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 30
- 3886
- Страницы: 50-54
Повышение эффективности удаления остаточного полимера после переноса графена для повышения чувствительности сенсоров
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 58
- 4166
- Страницы: 44-49
Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 38
- 4028
- Страницы: 39-43