Статьи из рубрики "Рост структуры, поверхность и интерфейсы"

Исследование структурных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок титаната бария

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 18
  • Страницы: 40-45

Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 26
  • Страницы: 34-39

Пассивация фронтальной поверхности фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения на основе узкозонных материалов

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 24
  • Страницы: 28-33

Наноструктурная инженерия наноматериалов на основе ZnO, содопированного Cu и Al, для сенсорных и фотокаталитических приложений

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 24
  • Страницы: 22-27

Эпитаксиальный рост AlGaAs из Bi-содержащих расплавов

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 26
  • Страницы: 17-21

Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 31
  • 1875
  • Страницы: 49-54

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 1950
  • Страницы: 43-48

Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 1858
  • Страницы: 37-42

Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 19
  • 2809
  • Страницы: 62-66

Формирование и магнитные свойства ультратонких пленок силицидов кобальта на поверхности кремния

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 43
  • 2962
  • Страницы: 55-61

Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 28
  • 2786
  • Страницы: 50-54

Повышение эффективности удаления остаточного полимера после переноса графена для повышения чувствительности сенсоров

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 49
  • 3051
  • Страницы: 44-49

Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 36
  • 2958
  • Страницы: 39-43

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: