Статьи по ключевому слову "InAs"
Оптопары на основе твердых растворов InAsSb для детектирования углекислого газа
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 3
- 216
- Страницы: 178-182
Поверхностно освещаемые высокотемпературные фотодиоды на основе гетероструктур n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 2
- 221
- Страницы: 110-114
Оптические исследования гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 2
- 243
- Страницы: 91-94
Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 40
- 3860
- Страницы: 9-21
Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb–светодиодов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 20
- 3502
- Страницы: 105-110
Формирование разбавленных нитридных нитевидных нанокристаллов InAs1–хNх по типу ядро–оболочка на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 4
- 21
- 3455
- Страницы: 88-97
Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 15
- 2792
- Страницы: 34-37
Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 3220
- Страницы: 77-82
Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 10
- 4655
- Страницы: 191-195
Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 12
- 5410
- Страницы: 42-47