НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "транзистор"

    Оптимизация гетероструктур AlGaN/GaN для транзисторов с высокой подвижностью электронов

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Родин С.Н.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 1
    • 212
    • Страницы: 129-133

    Радиационная стойкость биполярного транзистора n–p–n типа для стабилизаторов напряжения

    Физическая электроника
    Рыбалка С.Б.Ситников Ю.А.Кульченков Е.А.Демидов А.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 7
    • 744
    • Страницы: 149-154

    Тонкие пленки на основе восстановленного оксида графена для наноэлектроники и сенсоров

    Физика конденсированного состояния
    Бабенко С.И.Брылева А.С.Канаев К.В.Кудрявцев О.А.Нигматуллина Р.Р.Раянова К.А.Судакова А.Д.Труханова М.И.Комаров И.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 7
    • 846
    • Страницы: 23-29

    Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Никитина Е.В.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 24
    • 4163
    • Страницы: 46-51

    Оптимизация конструкции экранирующих электродов для повышения напряжения пробоя GaN HEMT

    Физическая электроника
    Козловская Е.А.Курбанбаева Д.М.Царик К.А.Лашков А.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 22
    • 3420
    • Страницы: 204-209

    Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов

    Приборы и техника физического эксперимента
    Усыченко В. Г.Чернова А. С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 2
    • 24
    • 4516
    • Страницы: 61-70

    Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора

    Физическая электроника
    Козловская Е.А.Курбанбаева Д.М.Царик К.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 33
    • 4641
    • Страницы: 449-453

    Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Никитина Е.В.Березовская Т.Н.Пирогов Е.В.Василькова Е.И.Шубина К.Ю.Синицкая О.А.Соболев М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 12
    • 4588
    • Страницы: 133-137

    Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Кельнер Олег АлександровичЦацульников А.Ф.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 35
    • 4980
    • Страницы: 50-54

    Исследование проводимости электрохимически легированных тонких полимерных пленок на основе саленовых комплексов никеля

    Физическая электроника
    Смирнова Е.А.Чепурная И.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 22
    • 5411
    • Страницы: 90-95

    Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 32
    • 5000
    • Страницы: 380-384

    Моделирование GaN n-канальных и р-канальных нормально-закрытых транзисторов для монолитных схем

    Физическая электроника
    Егоркин В.И.Земляков В.Е.Зайцев А.А.Чуканова О.Б.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 27
    • 5643
    • Страницы: 134-137

    Оптимизация параметров гетероструктурного транзистора для монолитных интегральных схем усилительного тракта медицинского радиотермографа

    Физика молекул
    Тихомиров В.Г.Чижиков С.В.Гудков А.Г.Николаенков А.В.Гудков Г.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 11
    • 5478
    • Страницы: 326-330

    Алгоритм и установка для измерения напряжения локализации тока в мощных ВЧ и СВЧ биполярных и гетеропереходных биполярных транзисторах

    Приборы и техника физического эксперимента
    Литвинов К.А.Радаев О.А.Козликова И.С.Сергеев В.А.Куликов А.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 9
    • 5877
    • Страницы: 97-101

    Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора

    Физика конденсированного состояния
    Березняк А. Ф.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 1
    • 0
    • 9067
    • Страницы: 43-48

    Транзисторные структуры типа рНЕМТ: исследование особенностей полупроводниковой гетероструктуры методами атомно-силовой микроскопии

    Физика конденсированного состояния
    Козловский Э.Ю.Спивак Ю.М.Мошников В.А.Пономарева А.А.Селезнев Б.И.Иванов Н.Н.Желаннов А.В.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 1
    • 1
    • 9369
    • Страницы: 18-28