Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Пирогов Евгений Викторович
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алфёрова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Эволюция кристаллической микроструктуры гибридных подложек SiC/Si во время роста методом замещения атомов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 16
- 4582
- Страницы: 113-118
Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 10
- 3968
- Страницы: 133-137
Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 24
- 2352
- Страницы: 182-186
Исследование слоев GaPN (As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 12
- 2432
- Страницы: 275-278
Влияние быстрого термического отжига на свойства структур GaPN (As), выращенных на кремниевых подложках
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 157
- Страницы: 45-48
Влияние концентрации Al на пироэлектрические свойства твердых растворов AlGaInP2
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 1
- 173
- Страницы: 53-56
Структурные и морфологические особенности гетероструктур InGaAs/InP фотодетекторов с длиной волны отсечки 2.5 мкм с различным профилем метаморфного буферного слоя
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 157
- Страницы: 172-177