Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Пирогов Евгений Викторович
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алфёрова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Эволюция кристаллической микроструктуры гибридных подложек SiC/Si во время роста методом замещения атомов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 16
- 4209
- Страницы: 113-118
Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 10
- 3577
- Страницы: 133-137
Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 22
- 1925
- Страницы: 182-186
Исследование слоев GaPN (As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 11
- 2035
- Страницы: 275-278