Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Гудовских Александр Сергеевич
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алфёрова РАН
Публикации
Orcid ID
0000-0002-7632-3194
Исследование адсорбционнымх свойств квази 1-Д наноструктур кремния
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 57
- 5293
- Страницы: 10-15
Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H (i)/ μc-Si:H (n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 17
- 5146
- Страницы: 150-154
Оптимизация контактной сетки для солнечных элементов на основе GaP/Si
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 11
- 5200
- Страницы: 93-96
Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 40
- 5767
- Страницы: 123-127
Исследование адсорбционных свойств квазиодномерных наноструктур кремния методом спектроскопии электрического импеданса
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 29
- 4690
- Страницы: 43-48
Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 17
- 4064
- Страницы: 90-95
Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 11
- 4372
- Страницы: 176-181
Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT: PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 49
- 4789
- Страницы: 10-17
Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 17
- 4014
- Страницы: 434-438
Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT: PSS
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 30
- 4686
- Страницы: 468-472
Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 34
- 4195
- Страницы: 273-277
Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 26
- 3420
- Страницы: 160-164
Влияние угла падения света на характеристики кремниевых солнечных элементов с различным текстурированием
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 7
- 2412
- Страницы: 134-137
Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 20
- 2466
- Страницы: 199-203
Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 14
- 2117
- Страницы: 152-156
Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 11
- 2143
- Страницы: 251-255
Влияние поверхностно-активных веществ на поверхностное натяжение водного раствора PEDOT: PSS
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 15
- 2525
- Страницы: 279-282
Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 26
- 3048
- Страницы: 17-24
Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 64
- Страницы: 182-186
Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 41
- Страницы: 247-251
Исследование емкостных характеристик многослойных структур GaN/InP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 38
- Страницы: 258-262