Фирсов Дмитрий Анатольевич
  • Должность
    Профессор
  • Место работы
    Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
  • Ученая степень
    доктор физико-математических наук
  • Ученое звание
    профессор
  • ул. Политехническая д. 29, Санкт-Петербург, 195251
  • 2 уч. корпус
    ауд. 210
  • Биография
  • Публикации

Области экспертизы: физика полупроводников и наноструктур, фотоника.

Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs / GaSb

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 643
  • 7693
  • Страницы: 15-21

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)

Конференции
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 2
  • 68
  • 6631
  • Страницы: 123-132

Рекомбинация и захват электронов в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 6504
  • Страницы: 9-15

Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 6777
  • Страницы: 9-15

Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 427
  • 7149
  • Страницы: 109-114

Исследование оптических свойств фотодитазина для расширения возможностей фотодинамической терапии

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2014
  • Выпуск: 3
  • 16
  • 6944
  • Страницы: 110-117

Цифровая система визуализации флуоресценции для антибактериальной фотодинамической терапии в стоматологии

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2015
  • Выпуск: 4
  • 410
  • 6986
  • Страницы: 77-83

Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Конференции
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 242
  • 6693
  • Страницы: 98-108

Примесная терагерцовая люминесценция  в наноструктурах с квантовыми ямами  при межзонном фотовозбуждении

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 87
  • 6628
  • Страницы: 56-65

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 114
  • 6657
  • Страницы: 66-76

Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6393
  • Страницы: 25-30

Лазерные диоды для фотодинамической терапии

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6732
  • Страницы: 80-84

Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 4
  • 80
  • 2869
  • Страницы: 32-43

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 33
  • 1973
  • Страницы: 14-19

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs(P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 18
  • 2109
  • Страницы: 101-107

Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 26
  • 1052
  • Страницы: 12-19

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 13
  • 1071
  • Страницы: 68-76

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 874
  • Страницы: 143-148

Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 25
  • 1086
  • Страницы: 105-112