-
Биография
Области экспертизы: физика полупроводников и наноструктур, фотоника.
Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Фирсов Дмитрий Анатольевич
Должность
Профессор
Место работы
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Ученая степень
доктор физико-математических наук
Ученое звание
профессор
Публикации
Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs / GaSb
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 643
- 9840
- Страницы: 15-21
Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)
- Год: 2017
- Том: 10
- Выпуск: 2
- 69
- 8517
- Страницы: 123-132
Рекомбинация и захват электронов в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 8697
- Страницы: 9-15
Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 0
- 8887
- Страницы: 9-15
Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении
- Год: 2013
- Выпуск: 4
- 429
- 9192
- Страницы: 109-114
Исследование оптических свойств фотодитазина для расширения возможностей фотодинамической терапии
- Год: 2014
- Выпуск: 3
- 21
- 8915
- Страницы: 110-117
Цифровая система визуализации флуоресценции для антибактериальной фотодинамической терапии в стоматологии
- Год: 2015
- Выпуск: 4
- 411
- 9095
- Страницы: 77-83
Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
- Год: 2016
- Выпуск: 1
- 243
- 8468
- Страницы: 98-108
Примесная терагерцовая люминесценция в наноструктурах с квантовыми ямами при межзонном фотовозбуждении
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 88
- 8671
- Страницы: 56-65
Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 116
- 8774
- Страницы: 66-76
Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN
- Год: 2011
- Выпуск: 2
- 0
- 8435
- Страницы: 25-30
Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 4
- 84
- 5252
- Страницы: 32-43
Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 39
- 3883
- Страницы: 14-19
Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs (P)/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 33
- 4091
- Страницы: 101-107
Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 62
- 3281
- Страницы: 12-19
Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 26
- 3276
- Страницы: 68-76
Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 21
- 2723
- Страницы: 143-148
Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 42
- 3286
- Страницы: 105-112
Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 16
- 3096
- Страницы: 58-66