Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 0
- 8357
- Страницы: 32-36
Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения
- Год: 2014
- Выпуск: 4
- 468
- 9317
- Страницы: 38-47
Беспроводная сеть управляемых энергоэффективных светодиодных источников освещения
- Год: 2015
- Выпуск: 1
- 373
- 8998
- Страницы: 50-60
Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 25
- 4867
- Страницы: 21-24
Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 30
- 3998
- Страницы: 380-384
Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 30
- 3895
- Страницы: 50-54
Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 16
- 3079
- Страницы: 46-51