Найти
НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки
Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
Редакционная коллегия
Главный редактор
Архив выпусков
Авторам
Меню
Содержание и структура статьи
Оформление статьи
Этика научных публикаций
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Аннотация к статье
Список литературы
Лицензионное соглашение
График выхода журналов
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
Цацульников Андрей Федорович
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 17
Выпуск 3
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 2
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 1.1
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 1
Полный текст
Цацульников Андрей Федорович
decodeDefault
194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26
Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС
Физика конденсированного состояния
Чернышева Е.А.
Сахаров А.В.
Черкашин Н.А.
Лундин В.В.
Цацульников А.Ф.
Год: 2012
Выпуск: 2
0
6356
Страницы: 32-36
Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения
Приборы и техника физического эксперимента
Валюхов В.П.
Аладов А.В.
Закгейм А.Л.
Черняков А.Е.
Цацульников А.Ф.
Год: 2014
Выпуск: 4
467
6967
Страницы: 38-47
Беспроводная сеть управляемых энергоэффективных светодиодных источников освещения
Приборы и техника физического эксперимента
Аладов А.В.
Валюхов В.П.
Дёмин С.В.
Закгейм А.Л.
Цацульников А.Ф.
Год: 2015
Выпуск: 1
373
6652
Страницы: 50-60
Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма
Физика конденсированного состояния
Артеев Д.С.
Сахаров А.В.
Николаев А.Е.
Заварин Е.Е.
Цацульников А.Ф.
Устинов В.М.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.2
22
2762
Страницы: 21-24
Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа
Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Артеев Д.С.
Сахаров А.В.
Николаев А.Е.
Заварин Е.Е.
Цацульников А.Ф.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.1
19
2012
Страницы: 380-384
Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках
Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Кельнер Олег Александрович
Цацульников А.Ф.
Николаев А.Е.
Заварин Е.Е.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.3
22
2010
Страницы: 50-54