Цацульников Андрей Федорович
  • 194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26

Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6356
  • Страницы: 32-36

Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2014
  • Выпуск: 4
  • 467
  • 6967
  • Страницы: 38-47

Беспроводная сеть управляемых энергоэффективных светодиодных источников освещения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 373
  • 6652
  • Страницы: 50-60

Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 22
  • 2762
  • Страницы: 21-24

Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 2012
  • Страницы: 380-384

Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 22
  • 2010
  • Страницы: 50-54