Статьи по ключевому слову "транзистор"
Тонкие пленки на основе восстановленного оксида графена для наноэлектроники и сенсоров
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 24
- Страницы: 23-29
Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 20
- 3402
- Страницы: 46-51
Оптимизация конструкции экранирующих электродов для повышения напряжения пробоя GaN HEMT
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 20
- 2609
- Страницы: 204-209
Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 21
- 3685
- Страницы: 61-70
Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 29
- 3920
- Страницы: 449-453
Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 10
- 3854
- Страницы: 133-137
Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 30
- 4187
- Страницы: 50-54
Исследование проводимости электрохимически легированных тонких полимерных пленок на основе саленовых комплексов никеля
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 22
- 4676
- Страницы: 90-95
Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 31
- 4300
- Страницы: 380-384
Моделирование GaN n-канальных и р-канальных нормально-закрытых транзисторов для монолитных схем
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 25
- 4933
- Страницы: 134-137
Оптимизация параметров гетероструктурного транзистора для монолитных интегральных схем усилительного тракта медицинского радиотермографа
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 9
- 4771
- Страницы: 326-330
Алгоритм и установка для измерения напряжения локализации тока в мощных ВЧ и СВЧ биполярных и гетеропереходных биполярных транзисторах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 9
- 5195
- Страницы: 97-101
Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора
- Год: 2009
- Выпуск: 1
- 0
- 8474
- Страницы: 43-48
Транзисторные структуры типа рНЕМТ: исследование особенностей полупроводниковой гетероструктуры методами атомно-силовой микроскопии
- Год: 2010
- Выпуск: 1
- 1
- 8716
- Страницы: 18-28