Статьи по ключевому слову "транзистор"

Тонкие пленки на основе восстановленного оксида графена для наноэлектроники и сенсоров

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 24
  • Страницы: 23-29

Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 3402
  • Страницы: 46-51

Оптимизация конструкции экранирующих электродов для повышения напряжения пробоя GaN HEMT

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 20
  • 2609
  • Страницы: 204-209

Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 21
  • 3685
  • Страницы: 61-70

Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 29
  • 3920
  • Страницы: 449-453

Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 3854
  • Страницы: 133-137

Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 30
  • 4187
  • Страницы: 50-54

Исследование проводимости электрохимически легированных тонких полимерных пленок на основе саленовых комплексов никеля

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 22
  • 4676
  • Страницы: 90-95

Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 31
  • 4300
  • Страницы: 380-384

Моделирование GaN n-канальных и р-канальных нормально-закрытых транзисторов для монолитных схем

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 25
  • 4933
  • Страницы: 134-137

Оптимизация параметров гетероструктурного транзистора для монолитных интегральных схем усилительного тракта медицинского радиотермографа

Физика молекул
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 9
  • 4771
  • Страницы: 326-330

Алгоритм и установка для измерения напряжения локализации тока в мощных ВЧ и СВЧ биполярных и гетеропереходных биполярных транзисторах

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 9
  • 5195
  • Страницы: 97-101

Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 8474
  • Страницы: 43-48

Транзисторные структуры типа рНЕМТ: исследование особенностей полупроводниковой гетероструктуры методами атомно-силовой микроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2010
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 8716
  • Страницы: 18-28