Статьи по ключевому слову "AlGaN"
Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 21
- 3489
- Страницы: 61-70
Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 15
- 3613
- Страницы: 249-254
Структурные характеристики поверхности пленок нитрида алюминия-галлия на нанослоях карбида кремния на кремнии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 12
- 3902
- Страницы: 223-227
Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 29
- 3732
- Страницы: 449-453
Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 28
- 3906
- Страницы: 182-187
Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 28
- 4275
- Страницы: 170-175
Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 18
- 4017
- Страницы: 85-89
Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 30
- 4107
- Страницы: 380-384
Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора
- Год: 2009
- Выпуск: 1
- 0
- 8333
- Страницы: 43-48
Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 8965
- Страницы: 28-31
Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 0
- 8448
- Страницы: 28-31