Статьи по ключевому слову "солнечный элемент"

Влияние температуры на световые вольтамперные характеристики гетероструктурных солнечных элементов, изготовленных на подложках кремния, легированного галлием

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1
  • 12
  • 353
  • Страницы: 30-42

Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 4
  • 665
  • Страницы: 182-186

Кристаллизация и морфология поликристаллических пленок гибридных перовскитов MAxMEA1−xPbI3, полученных растворным методом

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 26
  • 3955
  • Страницы: 69-81

Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 3005
  • Страницы: 199-203

Влияние угла падения света на характеристики кремниевых солнечных элементов с различным текстурированием

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 2940
  • Страницы: 134-137

Вольтамперные характеристики перовскитных пленок MaPbI3 , сформированных одностадийным методом центрифугирования

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 4
  • 43
  • 5108
  • Страницы: 9-19

Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 4512
  • Страницы: 434-438

Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 4739
  • Страницы: 221-226

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 11
  • 4910
  • Страницы: 176-181

Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 19
  • 4616
  • Страницы: 90-95

Определение параметров многопереходных солнечных элементов, подвергнутых радиационному облучению

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 4895
  • Страницы: 351-355

Влияние легирующей примеси на эффективность преобразования солнечной энергии гетероструктурой CdS/por-Si/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 2
  • 36
  • 8906
  • Страницы: 17-26

Внешний квантовый выход фотоответа каскадных солнечных элементов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 9505
  • Страницы: 14-23

Прогнозирование энергопроизводительности многопереходных фотопреобразователей A{3}B{5} с оптическими концентраторами в различных географических районах

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 3
  • 557
  • 9734
  • Страницы: 115-122

Оптимизация концентраторных трехпереходных солнечных элементов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 8886
  • Страницы: 11-18