Черненко Наталия Евгеньевна
Последние выпуски
- 2024, Том 17 Выпуск 3 Полный текст
- 2024, Том 17 Выпуск 2 Полный текст
- 2024, Том 17 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2024, Том 17 Выпуск 1 Полный текст
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 11
- 2477
- Страницы: 36-41
Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 9
- 2587
- Страницы: 42-47
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 13
- 2427
- Страницы: 48-53
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 2470
- Страницы: 54-58
Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 16
- 2491
- Страницы: 59-63
Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 16
- 2527
- Страницы: 315-319
Капельная эпитаксия селективно-позиционированных наноструктур In/GaAs(001) с переменным дистанцированием: эксперимент и моделирование
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 17
- 1415
- Страницы: 41-46
Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 30
- 1707
- Страницы: 53-58
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 15
- 1421
- Страницы: 64-68
Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 16
- 1453
- Страницы: 74-78
Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 13
- 1514
- Страницы: 79-83