Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Синицкая Олеся Алексеевна
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 35
- 4652
- Страницы: 157-162
Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 10
- 3577
- Страницы: 133-137
Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 13
- 3401
- Страницы: 439-443
Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 13
- 2207
- Страницы: 220-223
Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 9
- 3020
- Страницы: 100-104