НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Подать статью

Статьи по ключевому слову "гетероструктура"

Влияние дырочных состояний на электронные и электростатические свойства двухмерных слоев на основе гетероструктуры кремний-германий-кремний

Физика конденсированного состояния
Образцов К.В. Чибисов А.Н. Мамонова М.В.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 24
  • 2992
  • Страницы: 22-29

Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Солдатенков Федор Юрьевич Пуговкин А.А. Иванов А.Е. Малевский Д.А. Левин С.В.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 3097
  • Страницы: 140-144

Особенности конструкции гетероструктур для мощных лазерных диодов спектрального диапазона 975 нм

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Ершов Е.В. Фомин А.В. Лупачев М.В. Рогачков О.А. Найдин А.А.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 2046
  • Страницы: 129-133

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Физическое материаловедение
Федоров В.В. Федина С.В. Кавеев А.К. Кириленко Д.А. Фалеев Н. Н. Мухин И.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 42
  • 3509
  • Страницы: 120-133

Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов

Приборы и техника физического эксперимента
Усыченко В. Г. Чернова А. С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 21
  • 3359
  • Страницы: 61-70

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Солдатенков Федор Юрьевич Иванов А.Е. Малевский Д.А. Левин С.В.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 14
  • 2738
  • Страницы: 155-159

Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках

Математическое моделирование физических процессов
Дворецкая Л. Н. Можаров А.М. Голтаев А. С. Федоров В.В. Мухин И.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 23
  • 4041
  • Страницы: 38-46

Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора

Физическая электроника
Козловская Е.А. Курбанбаева Д.М. Царик К.А.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 29
  • 3620
  • Страницы: 449-453

Эмиссионные, оптические и электрофизические свойства нанопленок GaInP/GaP

Физическое материаловедение
Ширинов Г.М. Донаев С.Б. Умирзаков Б.Е. Лобода В.В.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 29
  • 4982
  • Страницы: 89-97

Измерение внутреннего квантового выхода излучения в локальных областях кристалла светодиода

Физическая оптика
Фролов И.В. Радаев О.А. Сергеев В.А.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 16
  • 4723
  • Страницы: 226-229

Гигантский латеральный фотовольтаический эффект в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si

Физика конденсированного состояния
Писаренко Т.А. Коробцов В.В. Димитриев А.А. Балашев В.В. Железнов В.В. Яковлев А.А.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 28
  • 5718
  • Страницы: 32-37

Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора

Физика конденсированного состояния
Березняк А. Ф.
  • Год: 2009
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 8246
  • Страницы: 43-48

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)

Конференции
Гаврикова Т.А. Фирсов Д.А.
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 2
  • 69
  • 8517
  • Страницы: 123-132

Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Конференции
Гаврикова Т.А. Зыков В.А. Фирсов Д.А.
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 243
  • 8468
  • Страницы: 98-108

Желто-зеленая фотолюминесценция электронно-дырочной жидкости в туннельно-прозрачных кремниево-германиевых слоях кремниевых гетероструктур

Физика конденсированного состояния
Козырев Д.С. Бурбаев Т.М.
  • Год: 2013
  • Выпуск: 3
  • 378
  • 8785
  • Страницы: 60-68

Транзисторные структуры типа рНЕМТ: исследование особенностей полупроводниковой гетероструктуры методами атомно-силовой микроскопии

Физика конденсированного состояния
Козловский Э.Ю. Спивак Ю.М. Мошников В.А. Пономарева А.А. Селезнев Б.И. Иванов Н.Н. Желаннов А.В.
  • Год: 2010
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 8456
  • Страницы: 18-28

Методика исследования поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах CdS/p-Si

Физика конденсированного состояния
Трегулов В.В.
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 8425
  • Страницы: 27-32