Статьи по ключевому слову "гетеропереход"

Влияние угла падения света на характеристики кремниевых солнечных элементов с различным текстурированием

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 211
  • Страницы: 134-137

Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 14
  • 1133
  • Страницы: 160-164

Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 1659
  • Страницы: 473-478

Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 7
  • 2077
  • Страницы: 90-95

Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 6
  • 2291
  • Страницы: 191-195

Фотовольтаические характеристики HJT фотопреобразователей лазерного излучения на длине волны 1064 нм

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 21
  • 2407
  • Страницы: 52-58

Двумерные плазменные возбуждения в неупорядоченном массиве квантовых антиточек

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 2330
  • Страницы: 137-141

Оптимизация контактной сетки для солнечных элементов на основе GaP/Si

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 9
  • 2736
  • Страницы: 93-96

Влияние легирующей примеси на эффективность преобразования солнечной энергии гетероструктурой CdS/por-Si/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 2
  • 35
  • 5783
  • Страницы: 17-26

Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 6526
  • Страницы: 43-48

Численное моделирование резонансно-туннельных структур на основе барьера Шоттки и гетероперехода GaAs/AlGaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 1
  • 50
  • 6705
  • Страницы: 9-17

Выпрямляющие свойства структур на основе фуллерена С60

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6835
  • Страницы: 18-21