Статьи по ключевому слову "гетероструктура"

Влияние дырочных состояний на электронные и электростатические свойства двухмерных слоев на основе гетероструктуры кремний-германий-кремний

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 88
  • Страницы: 22-29

Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 427
  • Страницы: 140-144

Особенности конструкции гетероструктур для мощных лазерных диодов спектрального диапазона 975 нм

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 1075
  • Страницы: 129-133

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 39
  • 2269
  • Страницы: 120-133

Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 18
  • 2129
  • Страницы: 61-70

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 11
  • 1875
  • Страницы: 155-159

Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 22
  • 2701
  • Страницы: 38-46

Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 29
  • 2556
  • Страницы: 449-453

Эмиссионные, оптические и электрофизические свойства нанопленок GaInP/GaP

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 26
  • 3636
  • Страницы: 89-97

Измерение внутреннего квантового выхода излучения в локальных областях кристалла светодиода

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 14
  • 3644
  • Страницы: 226-229

Гигантский латеральный фотовольтаический эффект в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 23
  • 4386
  • Страницы: 32-37

Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 7240
  • Страницы: 43-48

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)

Конференции
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 2
  • 69
  • 7649
  • Страницы: 123-132

Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Конференции
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 242
  • 7645
  • Страницы: 98-108

Желто-зеленая фотолюминесценция электронно-дырочной жидкости в туннельно-прозрачных кремниево-германиевых слоях кремниевых гетероструктур

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 3
  • 378
  • 7692
  • Страницы: 60-68

Транзисторные структуры типа рНЕМТ: исследование особенностей полупроводниковой гетероструктуры методами атомно-силовой микроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2010
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 7433
  • Страницы: 18-28

Методика исследования поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах CdS/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 7327
  • Страницы: 27-32

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: