Статьи по ключевому слову "гетероструктура"
Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 2
- 180
- Страницы: 120-133
Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 2
- 190
- Страницы: 61-70
Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 3
- 329
- Страницы: 155-159
Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 14
- 685
- Страницы: 38-46
Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 14
- 910
- Страницы: 449-453
Эмиссионные, оптические и электрофизические свойства нанопленок GaInP/GaP
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 2
- 14
- 1730
- Страницы: 89-97
Измерение внутреннего квантового выхода излучения в локальных областях кристалла светодиода
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 9
- 2092
- Страницы: 226-229
Гигантский латеральный фотовольтаический эффект в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 18
- 2554
- Страницы: 32-37
Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора
- Год: 2009
- Выпуск: 1
- 0
- 5898
- Страницы: 43-48
Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)
- Год: 2017
- Том: 10
- Выпуск: 2
- 68
- 6125
- Страницы: 123-132
Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
- Год: 2016
- Выпуск: 1
- 242
- 6211
- Страницы: 98-108
Желто-зеленая фотолюминесценция электронно-дырочной жидкости в туннельно-прозрачных кремниево-германиевых слоях кремниевых гетероструктур
- Год: 2013
- Выпуск: 3
- 378
- 6173
- Страницы: 60-68
Транзисторные структуры типа рНЕМТ: исследование особенностей полупроводниковой гетероструктуры методами атомно-силовой микроскопии
- Год: 2010
- Выпуск: 1
- 1
- 5911
- Страницы: 18-28
Методика исследования поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах CdS/p-Si
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 1
- 5882
- Страницы: 27-32