Шаров Владислав Андреевич
  • Место работы
    Академический университет им. Ж.И. Алферова
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация

Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 2392
  • Страницы: 79-83

Наноосциляторы на основе углеродных вискеров в качестве детекторов оптомеханических эффектов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 8
  • 2439
  • Страницы: 182-186

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 3197
  • Страницы: 341-345

Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 17
  • 1724
  • Страницы: 125-130

Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si(111)

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 947
  • Страницы: 28-33

Модовый анализ оптических микрорезонаторов GaP

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 977
  • Страницы: 115-119

Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 1
  • 185
  • Страницы: 83-87

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: