Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Новиков Иннокентий Игоревич
Место работы
Университет ИТМО
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In (Al)GaAs КЯ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 44
- 4428
- Страницы: 456-462
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 21
- 4091
- Страницы: 153-159
Волоконно-оптический передатчик спектрального диапазона 1.55 мкм на основе вертикально-излучающего лазера, изготовленного с применением технологии спекания пластин
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 20
- 3875
- Страницы: 163-169
Ширина линии излучения и α-фактор вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 мкм на основе сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 34
- 3816
- Страницы: 9-15
Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 19
- 3920
- Страницы: 50-55
Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 20
- 2364
- Страницы: 233-237
Температурное поведение квантово-каскадного лазера с селективным кольцевым резонатором, сформированным за счет травления дифракционной решетки с переменной глубиной
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 16
- 2003
- Страницы: 71-77
Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 22
- 1925
- Страницы: 182-186