Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
Сошников Илья Петрович
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 25
- 4639
- Страницы: 153-157
Влияние концентрации Al на пироэлектрические свойства твердых растворов AlGaInP2
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 4
- 327
- Страницы: 53-56
Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4.1
- 1
- 179
- Страницы: 62-66