Сошников  Илья  Петрович
Сошников Илья Петрович
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 25
  • 4639
  • Страницы: 153-157

Влияние концентрации Al на пироэлектрические свойства твердых растворов AlGaInP2

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 327
  • Страницы: 53-56

Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4.1
  • 1
  • 179
  • Страницы: 62-66